[發明專利]芯片重新配置的封裝結構中使用研磨的制造方法

有效

• 申請號: 200710199370.2
• 申請日: 2007-12-20
• 公開（公告）號: CN101465299A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 彭美芳
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/482;H01L23/31
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種芯片重新配置的封裝方法，其特征在于，包括：

提供一芯片，具有一上表面及一背面，且該芯片上配置有多個焊墊及于該芯片的該上表面配置有一第一高分子材料層；

切割該芯片，以形成該些芯片且于每一該芯片的一有源面上覆蓋該第一高分子材料層；

取放該些芯片至一基板上，將該些芯片的一背面與一配置于該基板上的黏著層連接；

形成一第二高分子材料層于該基板及該些芯片的該有源面的該第一高分子材料層上；

覆蓋一模具裝置至該第二高分子材料層上，以平坦化該第二高分子材料層，使該第二高分子材料層充滿于該些芯片之間并包覆每一該芯片以形成一封裝體；

脫離該模具裝置，以曝露出該封裝體的一表面；

薄化該封裝體，以使每一該芯片的該有源面上的該第一高分子材料層曝露；

形成一圖案化的第一高分子材料層以曝露出每一該芯片的該有源面上的該些焊墊；

脫離該基板，以曝露出每一該芯片的一背面；

形成一圖案化的第三高分子材料層在每一該芯片及部分該封裝體的一表面上，且曝露出每一該芯片的該有源面上的該些焊墊；

形成多個圖案化的金屬線段，每一該圖案化的金屬線段與每一該芯片的該有源面的該些焊墊電性連接，且每一該圖案化的金屬線段具有向該芯片的該有源面外側延伸的一扇出結構覆蓋于該第三高分子材料層；

形成一圖案化的保護層，以覆蓋該些圖案化的金屬線段，并曝露出該些圖案化的金屬線段的向該芯片的該有源面的外側延伸的該扇出結構的部分表面；

形成多個導電組件，將該些導電組件電性連接至該些圖案化的金屬線段的已曝露的該扇出結構的部分表面；及

切割該封裝體，以形成多個各自獨立的完成封裝的芯片。

2.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述薄化該封裝體的方法為研磨。

3.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述形成該些圖案化的金屬線段包括：

形成一晶種層在該第三高分子材料層的部分表面及在每一該芯片的該有源面的多個焊墊上；

電鍍一金屬層在該晶種層上，并電性連接每一該芯片的該有源面的該焊墊；

形成一圖案化的光阻層在該金屬層上；及

移除部分該金屬層，以移除部分該第三高分子材料層上的金屬層，且形成該些圖案化的金屬線段，其中該些圖案化的金屬線段的一端電性連接至每一該芯片的該有源面的該些焊墊，且該些圖案化的金屬線段的另一端為一向外延伸的扇出結構且覆蓋于該第三高分子材料層。

4.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，還包含形成一散熱裝置在該完成封裝的芯片的一背面。