[發(fā)明專利]發(fā)光二極管陣列的制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710198481.1
• 申請(qǐng)日: 2007-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101465298A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明順;邱舒?zhèn)?/a>;李逸駿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 洲磊曜富科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/50
• 分類號(hào): H01L21/50
• 代理公司: 北京申翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周春發(fā)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是關(guān)于一種發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)元件的制作方法，特別是一種發(fā)光二極管陣列的制作方法，藉由將發(fā)光二極管片切割成晶條后，于每?jī)蓷l發(fā)光二極管晶條間黏著一間隔層以形成發(fā)光二極管陣列。

背景技術(shù)

近年來(lái)，隨著發(fā)光二極管的發(fā)光效率不斷地提升，使得發(fā)光二極管已有逐漸取代傳統(tǒng)的日光燈與白熱燈泡的趨勢(shì)，而發(fā)光二極管的制作也朝向高功率與大面積的趨勢(shì)發(fā)展，然而，隨著發(fā)光二極管面積增大，在缺陷(defect)密度未下降的情形下，發(fā)光二極管的良率會(huì)隨著面積的增大而下降。

鑒于上述習(xí)知大面積發(fā)光二極管在缺陷密度未下降的情況下，會(huì)導(dǎo)致大面積發(fā)光二極管良率不佳，有必要提出一種發(fā)光二極管陣列的制作方法，以取代習(xí)知大面積發(fā)光二極管元件，以改善大面積發(fā)光二極管良率不佳的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的之一在于提供一種發(fā)光二極管陣列的制作方法，藉由切割發(fā)光二極管芯片成復(fù)數(shù)條發(fā)光二極管晶條，于每?jī)蓷l發(fā)光二極管晶條間黏著一間隔層，以形成發(fā)光二極管陣列。

本發(fā)明的另一目的為使用同一色光的發(fā)光二極管晶條，發(fā)光二極管晶條為紅光、藍(lán)光或綠光發(fā)光二極管晶條其中之一，以形成單一顏色的發(fā)光二極管陣列。若將紅光、藍(lán)光及綠光發(fā)光二極管晶條依序排列，可形成白光的發(fā)光二極管陣列。

本發(fā)明的又一目的為將包含電極的發(fā)光二極管陣列，藉由一金屬條與每一發(fā)光二極管晶條的電極接合。

根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管陣列的制作方法。首先，提供發(fā)光二極管芯片，此發(fā)光二極管芯片為包括發(fā)光二極管磊晶層的基板，再切割發(fā)光二極管芯片成復(fù)數(shù)條發(fā)光二極管晶條，然后再于每?jī)蓷l發(fā)光二極管晶條間黏著一間隔層，以形成發(fā)光二極管陣列。

附圖說(shuō)明

圖1A至圖1C的示意圖顯示本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的制作方法；

圖2A至圖2B的示意圖顯示本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的電極接合的方法；

圖3A至圖3C的示意圖為本發(fā)明另一實(shí)施例發(fā)光二極管晶條的制作方法。

【圖號(hào)說(shuō)明】

20???????????間隔層

100??????????發(fā)光二極管元件

107??????????電極

111??????????發(fā)光二極管磊晶層

112??????????基板

115??????????發(fā)光二極管晶條

120??????????金屬條

210??????????發(fā)光二極管芯片

211??????????發(fā)光二極管磊晶層

212??????????基板

215??????????發(fā)光二極管晶條

225??????????夾具

具體實(shí)施方式

本發(fā)明一些實(shí)施例的詳細(xì)描述如下，然而，除了該詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在其它的實(shí)施例施行。亦即，本發(fā)明的范圍不受已提出的實(shí)施例的限制，而應(yīng)以本發(fā)明提出的申請(qǐng)專利范圍為準(zhǔn)。

再者，為提供更清楚的描述及更易理解本發(fā)明，圖標(biāo)內(nèi)各部份并沒(méi)有依照其相對(duì)尺寸繪圖，某些尺寸與其它相關(guān)尺度相比已經(jīng)被夸張；不相關(guān)的細(xì)節(jié)部份也未完全繪出，以求圖標(biāo)的簡(jiǎn)潔。

圖1A至圖1B的示意圖顯示本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的制作方法。首先，提供復(fù)數(shù)條發(fā)光二極管晶條；亦即，如圖1A所示，提供發(fā)光二極管芯片110，發(fā)光二極管芯片110為包含發(fā)光二極管磊晶層111的基板112，基板112可以為以導(dǎo)電基板或非導(dǎo)電基板其中之一，發(fā)光二極管磊晶層111依序包含第一型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層及相反于第一型的第二型半導(dǎo)體層。然后再切割發(fā)光二極管芯片110成復(fù)數(shù)條發(fā)光二極管晶條115，如圖1B所示。

接著，如圖1C所示，接合一間隔層20于每?jī)蓷l發(fā)光二極管晶條115中，接合的方法可例如為黏膠接合(glue?bonding)的方式，間隔層20的材質(zhì)可以為硅(silicon)等半導(dǎo)體材質(zhì)，也可以是陶瓷(ceramic)等材質(zhì)。此外，間隔層20的兩側(cè)尚可藉由高反射處理而形成高反射層(未圖標(biāo))，再與發(fā)光二極管晶條接合，其中高反射層可以為高反射金屬層或高反射多層膜，高反射金屬層的材質(zhì)包括金、鋁、銀或其合金其中之一，使發(fā)光二極管發(fā)出的光可往同一方向出光，以增加發(fā)光二極管的指向性。