[發明專利]發光二極管陣列的制作方法

無效

• 申請號: 200710198481.1
• 申請日: 2007-12-17
• 公開（公告）號: CN101465298A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 李明順;邱舒偉;李逸駿
• 申請（專利權）人: 洲磊曜富科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 周春發

1.一種發光二極管陣列的制作方法，包含以下步驟：

提供復數條發光二極管晶條；以及

接合一間隔層在每兩條該發光二極管晶條中，以形成該發光二極管陣列。

2.如權利要求1所述的發光二極管陣列的制作方法，其中該復數條發光二極管晶條為切割自一發光二極管芯片，該發光二極管芯片為一包含一發光二極管磊晶層的基板，該發光二極管磊晶層依序包含一第一型半導體層、一主動層及一相反于第一型的第二型半導體層，而該基板為導電基板或非導電基板其中之一。

3.如權利要求1所述的發光二極管陣列的制作方法，其中該復數條發光二極管晶條的種類為紅光、藍光或綠光發光二極管晶條其中之一，以形成單一色光的該發光二極管陣列。

4.如權利要求1所述的發光二極管陣列的制作方法，其中該接合該復數條發光二極管晶條的步驟時，為依序接合紅光、藍光及綠光發光二極管晶條，以形成白光的該發光二極管陣列。

5.如權利要求1所述的發光二極管陣列的制作方法，其中該間隔層的兩側具有藉由高反射處理而形成的高反射層。

6.如權利要求1所述的發光二極管陣列的制作方法，其中每一該發光二極管晶條更包含一電極于該發光二極管磊晶上，藉由一金屬條與每一該發光二極管晶條的該電極接合。

7.如權利要求1所述的發光二極管陣列的制作方法，其中每一該發光二極管晶條的表面及兩側經抗反射處理。

8.如權利要求7所述的發光二極管陣列的制作方法，其中該發光二極管晶條的形成方法，包含以下步驟：

切割一發光二極管芯片成該復數條發光二極管晶條，該發光二極管芯片為一包含一發光二極管磊晶層的基板；

以夾具夾集固定該復數條發光二極管晶條，每兩條該發光二極管晶條中夾一該間隔層，其中該間隔層的高度低于該發光二極管晶條的高度；以及

進行抗反射處理于該復數條發光二極管晶條的表面與露出的側面。

9.如權利要求1所述的發光二極管陣列的制作方法，其中該發光二極管晶條藉由高反射處理，形成高反射層于該發光二極管晶條的兩側。

10.如權利要求9所述的發光二極管陣列的制作方法元件，更包括形成一透明介電層于該高反射層與該發光二極管晶條之間，用以避免該高反射層與該發光二極管晶條短路。