[發明專利]基板搬入搬出裝置、基板搬運方法及其裝置無效
| 申請號: | 200710197181.1 | 申請日: | 2004-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN101188206A | 公開(公告)日: | 2008-05-28 |
| 發明(設計)人: | 北澤保良 | 申請(專利權)人: | 神鋼電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;B65G49/05;B65G49/06;B65G49/07 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板搬入 搬出 裝置 搬運 方法 及其 | ||
本申請是申請日為2004年11月04日、申請號為200480032167.0、發明名稱為“基板搬入搬出裝置、基板搬運方法以及裝置”的中國專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及用于搬入搬出在基板箱的規定架上收納的基板的裝置。
另外,本發明涉及在依次經過多個工序在基板上形成半導體元件的半導體制造裝置中,為進行各工序的處理而沿按工序順序配置的多個處理裝置構成的處理裝置組搬運所述基板的方法以及裝置。
本申請對2003年11月6日申請的日本國專利申請第2003-376429號、2003年11月12日申請的日本國專利申請第2003-382207號、以及2004年2月10日申請的日本國專利申請第2004-033041號主張優先權,在此引用這些申請的內容。
背景技術
在用于多段收納液晶顯示裝置等所使用的基板(玻璃基板)的基板箱中存有各種基板(例如參照專利文獻1)。這種基板平面看為長方形的薄板狀,其大小為500mm×600mm,伴隨近年來技術的發展,也有2000mm×1800mm的基板。并且,作為用于將所述基板搬入搬出基板箱的技術公開有各種技術(例如參照專利文獻2)。
如圖11所示,在現有的基板箱1C’的內側面部,用于支承基板1G兩端部的支承部件51在高度方向上以規定間隔突出,跨越多段地形成用于支承所述基板1G的架1R。被收納于基板箱1C’的各基板1G只有它們的兩端部由對應的支承部件51支承。在該情況下,各基板1G的中央部出現撓曲,因此在搬入搬出時會有與正下方的基板1G干擾的可能。此外,為了搬入搬出各基板1G,必須使基板引出裝置1B(參照圖5)的基板引出臂52也能夠進入。為防止這些不良情況,必須增大各架1R的高度(架、間距1H)。其結果,使一個基板箱1C’的基板1G的收納片數減少。
為防止上述的不良情況,公知的有如圖12所示,沿基板箱1C”的左右方向引掛金屬絲53而由此形成各架1R的技術。在該基板箱1C”的情況下,僅由貫通其底面部進行升降的帶輥框架54提升基板1G,并在這種狀態下搬入搬出該基板1G。但是,在搬出基板1G時,必須從收納于最下段的架1R上的基板1G開始依次搬出上段的基板1G。此外,在收納基板1G時,需要從最上段的架1R開始依次收納到下段的架1R內。因此,搬出收納于任意段的架1R上的基板1G或者將基板1G收納到任意段的架1R上是困難的。
此外,在這樣的基板上形成的半導體元件,在以連續的不同的多個工序為一個工序組的情況下,經由同一或近似的多個工序組成為多層而形成在基板上。
例如,在圖26所示的基板W中,在利用清洗裝置A對基板W表面進行清洗后,利用CVD裝置B在其表面形成氧化膜151。然后,利用光裝置(フオト裝置)C在所述氧化膜151上涂敷感光劑152,并按照曝光圖案進行曝光并顯影。然后,利用蝕刻裝置D將曝光圖案以外的部分融化,進而除去感光劑152。由此,在基板W的表面形成第一層半導體元件。也有些基板W,在其表面跨多層形成半導體元件,此外,各層的成形工序也有與圖26所示的不同的情況。
因此,如圖27所示,在形成半導體元件的各層的多個工序組中,將處理同一或近似的工序的多個處理裝置A~D以并列狀態配置,或者將以并列狀態配置的裝置相對配置,將對各層進行同一或近似處理的被稱為“分段(ベイ)”的處理裝置組集中地配置在一處,將與各層的工序數對應的多個“分段”設置在不同的場所(例如參照專利文獻3)。
而且,基板的搬運在將多片基板收納于箱內的狀態下進行,在全部工序中,收納于箱內的多片基板集中地進行同一處理(成批處理)。各分段之間的基板組(是指收納于箱內的多片基板)的移動利用連接各分段之間的專用搬運車153進行。為了在基板上多層地形成半導體元件,基板組以每層為單位在前后的工序的各分段之間要往復多次。在圖27中,標號154是用于臨時放置箱的堆料裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





