[發明專利]用于電子材料的清洗液和清洗方法無效
| 申請號: | 200710196601.4 | 申請日: | 2007-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN101226874A | 公開(公告)日: | 2008-07-23 |
| 發明(設計)人: | 榛原照男;森良弘;毛利敬史 | 申請(專利權)人: | 硅電子股份公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/302;H01L21/306;B08B3/10;B08B3/12 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 程大軍 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 電子 材料 清洗 方法 | ||
1.一種用于電子材料的清洗液,其特征在于,其為含有由氫氣產生的微泡并給予超聲振動的含水液體。
2.根據權利要求1的電子材料的清洗液,其中所述含水液體是超純水。
3.根據權利要求1的電子材料的清洗液,其中所述含水液體是加氫水。
4.一種電子材料的清洗方法,其特征在于,其在存在有氫微泡的含水液體中和在超聲輻射下進行。
5.根據權利要求4的電子材料的清洗方法,其中所述含水液體是超純水。
6.根據權利要求4的電子材料的清洗方法,其中所述含水液體是加氫水。
7.權利要求4-6任一項中所述的電子材料的清洗方法,其中還向所述含水液體中加入堿。
8.權利要求4-6任一項中所述的電子材料的清洗方法,其中還向所述含水液體中加入堿和過氧化氫。
9.權利要求4-8任一項中所述的電子材料的清洗方法,其中向所述含水液體中加入表面活性劑。
10.根據權利要求7或8的電子材料的清洗方法,其中所述加入的堿含有氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、氫氧化四甲銨(TMAH)和膽堿中的至少一種。
11.根據權利要求4-10任一項的電子材料的清洗方法,其中所述電子材料是硅晶片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





