[發(fā)明專(zhuān)利]用于電子材料的清洗液和清洗方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710196601.4
• 申請(qǐng)日: 2007-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101226874A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 榛原照男;森良弘;毛利敬史
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 硅電子股份公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/00;H01L21/302;H01L21/306;B08B3/10;B08B3/12
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 程大軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于電子材料特別是硅晶片的清洗液，以及使用所述清洗液的清洗方法。

背景技術(shù)

近來(lái)，在使用硅晶片制造半導(dǎo)體LSIs的技術(shù)中，需要使用具有較大直徑的硅晶片，和進(jìn)一步微細(xì)加工技術(shù)。另外，還需要解決一些問(wèn)題例如伴隨著工藝復(fù)雜性的產(chǎn)品質(zhì)量的維持和改進(jìn)、以及生產(chǎn)成本的降低。

特別地，在使用硅晶片制造半導(dǎo)體LSIs技術(shù)的許多領(lǐng)域中，所謂的濕處理步驟是關(guān)鍵步驟，其包括用多種溶液處理。所述濕處理步驟中的特別重要的步驟是清洗步驟。在常規(guī)的清洗步驟中，所做出的改進(jìn)主要是在清洗液的組分組成、清洗液濃度、清洗溫度、清洗時(shí)間等的選擇上。(例如，“New?Edition，Clean?Technology?of?Silicon?Wafer?Surface”written?and?edited?by?Takeshi?Hattori，Realize?Co.Ltd.(2000))。但是，這些常規(guī)技術(shù)不足以滿(mǎn)足近來(lái)由進(jìn)一步微細(xì)加工技術(shù)、步驟的復(fù)雜性、高清潔度、以及成本降低所帶來(lái)的要求。此外，近來(lái)，由于嚴(yán)格的環(huán)境保護(hù)措施和廢液處理成本降低的要求，需要稀化學(xué)溶液清洗、無(wú)化學(xué)溶液清洗等。

作為解決這些問(wèn)題的方法，由臭氧水或加氫水代表的所謂功能水的研發(fā)已經(jīng)在積極開(kāi)展，并且已經(jīng)開(kāi)發(fā)了其實(shí)際用途。所述臭氧水在除去金屬雜質(zhì)污染和有機(jī)物質(zhì)污染的半導(dǎo)體清洗中的實(shí)際用途已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)。所述加氫水還用于液晶顯示器的玻璃基板清洗以除去顆粒(例如，“Functional?WaterLeaning?From?the?Elements”supervised?by?Masayuki?Toda，edited?by?JapanIndustrial?Conference?on?Cleaning，Kogyo?Chosakai?Publishing?Co.Ltd.(2002))。

人們期望加氫水作為氨水+過(guò)氧化氫(下面稱(chēng)為“APM”)的替代物，所述APM在半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域中廣泛用作去除顆粒的清洗液。在化學(xué)溶液成本方面，加氫水與APM相比極其有利，但是，在顆粒去除能力方面是較差的。由于其清洗水平足夠用于清洗液晶顯示器的玻璃基板，加氫水已被投入實(shí)際應(yīng)用；但是，由于其清洗能力不足，在半導(dǎo)體例如硅晶片的清洗領(lǐng)域中它還沒(méi)有投入實(shí)際應(yīng)用。

因此，必須提高加氫水的能力來(lái)發(fā)展在半導(dǎo)體清洗中低成本的APM替代技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種完全新穎的方法可一般用于硅晶片的清洗處理。

解決問(wèn)題的方法

本發(fā)明人對(duì)于一種能夠滿(mǎn)足近來(lái)對(duì)硅晶片清洗處理的強(qiáng)烈要求的新型清洗液和使用該清洗液的清洗處理方法已經(jīng)進(jìn)行了不斷的研究開(kāi)發(fā)，結(jié)果驚奇地發(fā)現(xiàn)，所述問(wèn)題可以通過(guò)使用超純水或加氫水作為原料水，并在氫微泡的存在下結(jié)合使用清洗液與超聲輻射來(lái)解決，從而實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明。

具體地，本發(fā)明用于電子材料的清洗液的特征在于含有由氫氣產(chǎn)生的微泡，并且其為給予超聲振動(dòng)的含水液體。

本發(fā)明用于電子材料的清洗液的特征在于所述含水液體是超純水或加氫水。

本發(fā)明的清洗方法的特征為使用所述清洗液，并且所述方法在有氫微泡存在的含水液體中和超聲輻射下進(jìn)行。

本發(fā)明的清洗方法的特征在于，所述含水液體是超純水。

本發(fā)明的清洗方法的特征在于，所述含水液體是加氫水。

本發(fā)明的清洗方法的特征在于，還向所述含水液體中加入堿。

本發(fā)明的清洗方法的特征在于，向所述含水液體中加入堿和過(guò)氧化氫。

本發(fā)明的清洗方法的特征在于，向所述含水液體原料中加入表面活性劑。

本發(fā)明的清洗方法的特征在于，所加入的堿含有氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、氫氧化四甲銨(下面稱(chēng)為“TMAH”)和膽堿中的至少一種。另外，本發(fā)明的清洗方法的特征在于，所述電子材料是硅晶片。

發(fā)明效果

當(dāng)使用本發(fā)明的清洗液進(jìn)行清洗處理時(shí)，晶片表面上的顆粒組分等可以被有效地清洗和除去，并可以避免再污染。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明用于電子材料的清洗液是含有由氫氣產(chǎn)生的微泡的含水液體，并且是給予超聲振動(dòng)的含水液體。所述含水液體的特征在于其為超純水或加氫水。另外，本發(fā)明用于電子材料的所述清洗液包括那些向其中加入各種添加劑以得到所需性能的清洗液。這里所述可以用本發(fā)明的清洗液清洗的電子材料特別包括硅晶片。