[發明專利]閃存器件無效

申請號：	200710194894.2	申請日：	2007-12-27
公開（公告）號：	CN101211858A	公開（公告）日：	2008-07-02
發明（設計）人：	鄭泰雄	申請（專利權）人：	東部高科股份有限公司
主分類號：	H01L21/8247	分類號：	H01L21/8247;H01L21/28
代理公司：	北京律誠同業知識產權代理有限公司	代理人：	徐金國
地址：	韓國***	國省代碼：	韓國;KR
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摘要：
搜索關鍵詞：	閃存器件
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【說明書】：

本申請要求于2006年12月29日提交的韓國專利申請No.10-2006-0137320的益處，在此引入其全部內容作為參考。

技術領域

本發明涉及一種制造半導體存儲器件的方法，且更特別地，涉及一種制造閃存器件的方法。

背景技術

閃存器件是一種電寫入和擦除數據的器件。該閃存器件是一種在浮置柵極中存儲電荷并使用電荷通過隧穿絕緣層的隧穿效應將存儲在浮置柵極中的電荷泄放到襯底中的器件。

作為閃存器件重要操作的隧穿取決于施加到控制柵極的多少電壓會傳送到隧穿絕緣層以產生電場。施加到隧穿絕緣層的電壓與施加到控制柵極的電壓的比率由耦合率表示。當浮置柵極和控制柵極之間的電容大于襯底和浮置柵極之間的電壓時可增加耦合率。

具有高介電常數的氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)層用作柵極間介電層以增加浮置柵極和控制柵極之間的電容。隨著半導體器件集成度越來越高，越來越希望較高介電常數的柵極間介電層。然而，如果介電常數過高，則泄漏電流特性變差，并且會導致保留特性降低。

提出了一種增加浮置柵極和控制柵極相對面積的方法，以增加浮置柵極和控制柵極之間的電容。如果在浮置柵極的頂部上形成凹凸結構，則可以增加在浮置柵極上形成的柵極間介電層的面積。

圖1和2是示出現有技術制造閃存器件方法的圖。

參考圖1，在半導體襯底10上形成器件隔離層12，并限定有源區14，在有源區14上經由隧穿絕緣層16形成浮置柵極層18。光刻膠圖形20形成浮置柵極層18上。光刻膠圖形20通過使用具有形成于其上的掩模圖形24的光刻版22曝光光刻膠膜來形成。此時，通過調整掩模圖形寬度和掩模圖形之間的距離，可以降低通過掩模圖形24之間的區域傳輸的光的強度。結果，改變了光刻膠膜的曝光程度，并因此在浮置柵極層18上形成了凹凸結構的光刻膠圖形20。

參考圖2，各向異性蝕刻光刻膠圖形20和浮置柵極層18。由于光刻膠圖形20具有凹凸結構，因此光刻膠圖形20的凹凸結構被轉移到浮置柵極層18，由此形成具有凹凸結構的浮置柵極圖形18a。

在現有技術中，浮置柵極圖形18a的凹進部分和凸起部分之間的高度差以及浮置柵極圖形18a相對的凹進部分的寬度取決于光刻膠圖形20的形狀。如上所述，根據形成在光刻版22上的掩模圖形寬度和在光刻版22上形成的掩模圖形之間的距離，光刻膠圖形20由于曝光強度不同而具有凹凸結構。選擇掩模圖形22的配置以獲得所需形狀的掩模圖形24。

因此，限制了浮置柵極圖形18a尺寸、浮置柵極圖形18a的凹進部分和凸起部分之間的高度差以及浮置柵極圖形18a凹進和凸起部分的寬度的調整。

而且，需要一種復雜的光刻版制造工藝以獲得預期的浮置柵極圖形18a，其會導致不能快速改變器件結構。此外，提供到生產線上的光刻膠膜的特性可變化，結果是，光刻膠圖形20的形狀與所預期的不同。

發明內容

實施例涉及到半導體存儲器件和制造閃存器件的方法；

實施例涉及到閃存器件和閃存器件的制造方法，當形成浮置柵極圖形的凹凸結構時，其能容易地控制浮置柵極圖形的凹凸結構；

實施例涉及到閃存器件和閃存器件的制造方法，其中浮置柵極圖形形狀偏差很小；

根據實施例，一種制造閃存器件的方法可包括形成具有形成于其頂部的凹凸結構的浮置柵極的工藝。

根據實施例，該方法包括在半導體襯底上形成器件隔離層以限定有源區，在有源區上形成浮置柵極圖形，在器件隔離層上形成光刻膠圖形以使光刻膠圖形具有高于浮置柵極圖形的側壁，在光刻膠圖形側壁上形成間隙壁圖形以使該間隙壁圖形部分覆蓋浮置柵極圖形，以及通過使用間隙壁圖形作為蝕刻掩模以預定深度蝕刻浮置柵極圖形。

根據實施例，使用間隙壁圖形作為蝕刻掩模蝕刻浮置柵極圖形，并因此，形成浮置柵極圖形以使浮置柵極圖形具有其中凹進部分寬度一致的凹凸結構。

附圖說明

圖1和2是示出現有技術閃存器件制造方法的工藝截面圖；

圖3至6是示出根據實施例的閃存器件制造方法的工藝截面圖。