[發明專利]閃存器件

無效

• 申請號: 200710194894.2
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101211858A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 鄭泰雄
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國

1.一種方法，包括：

在半導體襯底上方形成器件隔離層以限定有源區；

在半導體襯底有源區上方形成浮置柵極圖形；

在器件隔離層上方形成光刻膠圖形以使光刻膠圖形具有高于浮置柵極圖形的側壁；

在光刻膠圖形側壁上形成間隙壁圖形以使間隙壁圖形部分覆蓋浮置柵極圖形；以及

使用間隙壁圖形作為蝕刻掩模以預定深度蝕刻浮置柵極圖形。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于，蝕刻浮置柵極圖形以使浮置柵極圖形具有凹凸結構。

3.根據權利要求1的方法，其特征在于，形成光刻膠圖形包括：

形成負性光刻膠膜；

使用形成浮置柵極圖形的光掩模曝光光刻膠膜；以及

顯影曝光的光刻膠膜。

4.根據權利要求3的方法，其特征在于，所述光刻膠膜的厚度高于所述浮置柵極圖形的厚度。

5.根據權利要求1的方法，其特征在于，在浮置柵極圖形相對側的器件隔離層上方形成光刻膠膜，且間隙壁圖形覆蓋浮置柵極圖形的相對側邊緣。

6.根據權利要求5的方法，其特征在于，形成間隙壁圖形包括：

在其上形成光刻膠圖形的襯底表面上方形成共形的間隙壁絕緣層；以及

各向異性蝕刻間隙壁圖形暴露出部分浮置柵極圖形。

7.根據權利要求6的方法，其特征在于，部分暴露出的浮置柵極圖形的寬度通過調整間隙壁圖形的厚度和各向異性蝕刻條件來確定。

8.根據權利要求1的方法，其特征在于，還包括：

去除間隙壁圖形和光刻膠圖形以形成具有在其頂部上形成的凹凸結構的浮置柵極圖形；以及

在具有凹凸結構的浮置柵極圖形上方形成共形柵極間介電層和控制柵極導電層。

9.一種器件，包括：

在半導體襯底上方的器件隔離層，其限定了有源區；

在半導體襯底有源區上方的浮置柵極圖形；以及

在浮置柵極圖形外部邊緣上方的間隙壁圖形，其中使用間隙壁圖形作為蝕刻掩模來蝕刻浮置柵極圖形至預定深度。

10.根據權利要求9的器件，其特征在于，蝕刻的浮置柵極圖形包括凹凸結構。

11.根據權利要求9的器件，其特征在于，還包括在具有凹凸結構的浮置柵極圖形上方的共形柵極間介電層和控制柵極導電層。

12.根據權利要求9的器件，其特征在于，使用提供在器件隔離層上方的光刻膠圖形形成間隙壁圖形，以使光刻膠圖形具有高于浮置柵極圖形的側壁，并通過在光刻膠圖形側壁上形成間隙壁圖形使得間隙壁圖形部分覆蓋浮置柵極圖形。

13.根據權利要求12的器件，其特征在于，光刻膠圖形通過形成負性光刻膠膜、使用形成浮置柵極圖形的光掩模曝光光刻膠膜和顯影曝光的光刻膠膜來形成。

14.根據權利要求13的器件，其特征在于，形成光刻膠膜以使光刻膠膜的厚度大于浮置柵極圖形的厚度。

15.根據權利要求12的器件，其特征在于，在浮置柵極圖形相對側的器件隔離層上形成光刻膠圖形，且間隙壁圖形覆蓋浮置柵極圖形的相對側邊緣。

16.根據權利要求15的器件，其特征在于，間隙壁圖形通過在襯底表面上形成共形間隙壁絕緣層和各向異性蝕刻間隙壁圖形以部分暴露出浮置柵極圖形來形成。

17.根據權利要求16的器件，其特征在于，浮置柵極圖形的暴露寬度通過調整間隙壁圖形厚度和各向異性蝕刻條件來確定。