[發明專利]制造半導體器件的方法以及利用該方法制造的產品

有效

• 申請號: 200710193701.1
• 申請日: 2007-11-22
• 公開（公告）號: CN101188201A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 林哲也;星正勝;田中秀明;山上滋春
• 申請（專利權）人: 日產自動車株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/267;H01L29/10
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇

1.一種制造半導體器件的方法，所述半導體器件包括：半導體襯底；異質半導體區，其由帶隙寬度與所述半導體襯底的帶隙寬度不同的半導體材料形成，并且與所述半導體襯底異質鄰接；柵極絕緣層，其接觸所述半導體襯底和所述異質半導體區的異質結；柵電極，其形成在所述柵極絕緣層上；第一電場緩和區，其與接觸所述柵極絕緣層的所述異質結的異質結驅動端間隔開預定距離，并且接觸所述半導體襯底和所述柵極絕緣層；源電極，其接觸所述異質半導體區；以及漏電極，其接觸所述半導體襯底，所述方法包括：

在所述異質半導體區形成第一掩模層；以及

至少使用部分所述第一掩模層來形成所述第一電場緩和區和所述異質結驅動端。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

當形成所述第一電場緩和區時，通過離子注入工藝，在所述半導體襯底沒有被所述第一掩模層覆蓋的部分中注入雜質。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括：

當形成所述第一電場緩和區時，進行活化所述雜質的熱處理工藝。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體器件還包括第二電場緩和區，所述第二電場緩和區接觸所述半導體襯底和所述異質半導體區，并且與所述異質結驅動端間隔開預定距離，所述方法還包括：

使用所述第一掩模層來形成所述第二電場緩和區。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述異質半導體區形成第二掩模層，以覆蓋接觸所述第二電場緩和區的所述異質半導體區；以及

其中，形成所述異質結驅動端的步驟還包括使用所述第一掩模層和所述第二掩模層兩者來形成所述異質結驅動端。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一掩模層的材料與所述第二掩模層的材料不同。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述異質結驅動端的步驟還包括：

在至少各向同性去除部分所述第一掩模層之后，形成所述異質結驅動端。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底包括碳化硅、金剛石和氮化鎵至少之一。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述異質半導體區包括單晶硅、多晶硅和非晶硅至少之一。

10.一種利用根據權利要求1所述的方法制造的半導體器件。

11.一種制造半導體器件的方法，所述半導體器件包括：半導體襯底；異質半導體區，其由帶隙寬度與所述半導體襯底的帶隙寬度不同的半導體材料形成，并且與所述半導體襯底異質鄰接；柵極絕緣層，其接觸所述半導體襯底和所述異質半導體區的異質結；柵電極，其形成在所述柵極絕緣層上；第二電場緩和區，其與接觸所述柵極絕緣層的所述異質結的異質結驅動端間隔開預定距離，并且接觸所述半導體襯底和所述異質半導體區；源電極，其接觸所述異質半導體區；以及漏電極，其接觸所述半導體襯底，所述方法包括：

在所述異質半導體區形成第一掩模層；以及

通過至少使用部分所述第一掩模層來形成所述第二電場緩和區和所述異質結驅動端。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述異質半導體區形成第三掩模層，所述第三掩模層與所述第一掩模層一起覆蓋所述異質半導體區不接觸所述第二電場緩和區的部分；以及

在所述異質半導體區形成第二掩模層，所述第二掩模層覆蓋所述異質半導體區接觸所述第二電場緩和區的部分；

其中，形成所述第二電場緩和區的步驟包括使用所述第一掩模層和所述第三掩模層兩者來形成所述第二電場緩和區；以及

其中，形成所述異質結驅動端的步驟還包括使用所述第一掩模層和所述第二掩模層兩者來形成所述異質結驅動端。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二掩模層的材料和所述第三掩模層的材料中的至少一個與所述第一掩模層的材料不同。

14.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，還包括：

當形成所述第二電場緩和區時，通過離子注入工藝，在所述半導體襯底沒有被所述第一掩模層覆蓋的部分中注入雜質。