[發明專利]多芯片封裝結構與其形成方法

無效

• 申請號: 200710193365.0
• 申請日: 2007-12-10
• 公開（公告）號: CN101197356A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 楊文焜;余俊輝;周昭男;林志偉;黃清舜
• 申請（專利權）人: 育霈科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種半導體元件封裝結構，該結構包含：

一基底；

一第一晶粒黏在所述基底上；

一第一封膠材料在所述第一晶粒周圍形成；

一第一重布層形成在所述第一封膠材料與所述第一介質層上以連接所述第一晶粒上的第一接墊；

一第二晶粒；

一第二重布層形成在所述第二晶粒上以連接所述第二晶粒上的第二接墊；

復數個錫球連接到所述第一重布層與第二重布層；及

一第二封膠材料形成在所述第二晶粒周圍，其中所述第二封膠材料含有通孔結構穿過其中，所述通孔結構連接到所述第一重布層。

2.如權利要求1所述的半導體元件封裝結構，其特征在于，所述基底的材質包含金屬、合金42(42％鎳-58％鐵)、Kovar合金(29％鎳-17％鈷-54％鐵)、玻璃、陶瓷、硅或是PCB；所述第一封膠材料與第二封膠材料的材質包含硅酮橡膠、樹脂或是環氧樹脂化合物；所述第一重布層與第二重布層的材質包含銅/金、銅/鎳/金合金；所述通孔結構的材質包含鈦/銅、銅/金、銅/鎳/金合金。

3.如權利要求1所述的半導體元件封裝結構，其特征在于，所述半導體元件封裝結構還包含一第三重布層形成在所述第二封膠材料上以連接所述通孔結構。

4.如權利要求3所述的半導體元件封裝結構，其特征在于，所述半導體元件封裝結構還包含復數個BGA式封裝的錫球形成在所述第三重布層上。

5.如權利要求1所述的半導體元件封裝結構，其特征在于，所述半導體元件封裝結構還包含復數個LGA式封裝的金屬接墊形成在所述通孔結構上與所述LGA封裝結構的周邊。

6.一種半導體元件封裝結構，該半導體元件封裝結構還包含：

一基底；

一第一晶粒黏在所述基底上；

一第一封膠材料在所述第一晶粒周圍形成；其中所述第一封膠材料含有通孔結構穿過其中；

一第一重布層形成在所述第一封膠材料上以連接通孔結構與所述第一晶粒上的第一接墊；

復數個金屬接觸層形成在所述通孔結構上；

一第二晶粒；

一第二重布層形成在所述第二晶粒上以連接所述第二晶粒上的第二接墊；

復數個錫球連接到所述第一重布層與第二重布層；及

一第二封膠材料在所述第二晶粒周圍形成。

7.如權利要求6所述的半導體元件封裝結構，其特征在于，所述半導體元件封裝結構還包含一硬質基底連接到所述基底。

8.如權利要求6所述的半導體元件封裝結構，其特征在于，所述半導體元件封裝結構還包含復數個BGA式封裝的錫球形成在所述金屬接觸層與所述硬質基底上。

9.如權利要求6所述的半導體元件封裝結構，其特征在于，所述半導體元件封裝結構還包含復數個LGA式封裝的金屬接墊形成在所述通孔結構與LGA封裝的周邊。

10.一種制作封裝結構的方法，該方法包含：

提供一第一晶片級芯片尺度封裝，其上含有錫球連接到增層中的第一重布層；

提供一具有復數個第二晶粒的硅晶片；

切割所述硅晶片以形成復數個獨立的第二晶粒；

將所述復數個第二晶粒放置在一面板上；

在所述面板上形成一第一封膠材料圍繞著所述第二晶粒；

在所述第二晶粒的表面上形成一第一介質層并露出一第一開口區域；

在所述第一介質層上形成一晶種層；

在所述晶種層上形成一第二重布層；

在所述第一重布層上形成一第二介質層并露出其接墊區域；

將所述第一晶片級芯片尺寸封裝切割成復數個獨立的第一芯片尺寸封裝；

將所述第一芯片尺寸封裝放置在所述面板上；

在所述面板上形成一封膠材料圍繞著所述第一芯片尺寸封裝。