[發明專利]一種存儲器單元和其裝置以及制造方法

有效

• 申請號: 200710192800.8
• 申請日: 2007-11-20
• 公開（公告）號: CN101188251A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 呂函庭
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/792
• 分類號: H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247;G11C16/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種存儲器單元，其特征在于，包括：

一多層堆疊，包括：

一隧穿勢壘介電結構，具有大于3納米的有效氧化物厚度的隧穿勢壘；

一導電層，位于所述隧穿勢壘介電結構上；

一電荷捕獲結構，位于所述導電層上；以及

一頂部介電結構，位于所述電荷捕獲結構上；以及

一頂部導電層，位于所述頂部介電結構上。

2.如權利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，所述存儲器單元位于一半導體襯底上，在所述半導體襯底中有一源極區域以及一漏極區域且由一溝道區域所分離，所述溝道區域具有在所述源極區域與所述漏極區域之間的一溝道區域長度，以及與所述溝道區域長度垂直的小于45納米的一溝道區域寬度。

3.如權利要求2所述的存儲器單元，其特征在于，所述多層堆疊具有一多層堆疊有效氧化物厚度以及一多層堆疊寬度，且所述多層堆疊寬度是與在所述源極區域與所述漏極區域之間的所述溝道區域長度垂直并小于所述多層堆疊有效氧化物厚度的1.5倍。

4.如權利要求2所述的存儲器單元，其特征在于，所述溝道區域具有一有源區域，所述有源區域具有在所述源極區域與所述漏極區域之間的一有源區域長度，以及與所述有源區域長度垂直的一有源區域寬度，且所述導電層具有等于所述溝道區域的所述有源區域的所述有源區域寬度的一導電層寬度。

5.如權利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，所述隧穿勢壘介電結構包括能帶隙工程的隧穿勢壘結構。

6.如權利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，所述導電層包括具有小于6納米的厚度的摻雜多晶硅或金屬。

7.一種存儲器裝置，其特征在于，包括：

一陣列，具有多數個存儲器單元；

所述存儲器單元包括：

一隧穿勢壘介電結構，具有大于3納米的一有效氧化物厚度；

一導電層，位于所述隧穿勢壘介電結構上；

一電荷捕獲結構，位于所述導電層上；

一頂部介電結構，位于所述電荷捕獲結構上；

一頂部導電層，位于所述頂部介電結構上；

一列譯碼器；

一行譯碼器；

多個感應放大器；

至少一輸入端；

至少一輸出端；

多個數據輸入結構；以及

偏壓配置狀態機。

8.一種制造存儲器單元的方法，其特征在于，包括：

在一半導體襯底的一表面上形成具有大于3納米的一有效氧化物厚度的一隧穿勢壘介電結構；

在所述隧穿勢壘介電結構上形成一導電層；

在所述導電層上形成一電荷捕獲結構；

在所述電荷捕獲結構上形成一頂部介電結構；

在所述頂部介電結構上形成一頂部導電層；以及

通過在所述半導體襯底的所述表面中注入一雜質來形成一源極區域以及一漏極區域，使得所述源極區域與所述漏極區域由一溝道區域所分離，且所述溝道區域在所述隧穿勢壘介電結構下。

9.如權利要求8所述的制造存儲器單元的方法，其特征在于，所述方法包括形成多個所述存儲器單元以制造一存儲器陣列。

10.如權利要求8所述的制造存儲器單元的方法，其特征在于，形成所述隧穿勢壘介電結構的步驟包括通過形成多個介電層來形成一能帶隙工程的隧穿勢壘結構。