[發明專利]真空處理裝置有效
| 申請號: | 200710188367.0 | 申請日: | 2006-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN101192511A | 公開(公告)日: | 2008-06-04 |
| 發明(設計)人: | 車勛;金亨俊;嚴用鐸;李珠熙;韓在柄;曹生賢;尹大根 | 申請(專利權)人: | IPS有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/44;C23C14/56;C23F4/00;H01J37/32;B01J3/03 |
| 代理公司: | 北京中安信知識產權代理事務所 | 代理人: | 張小娟;徐林 |
| 地址: | 韓國京*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 處理 裝置 | ||
本申請是申請號為200610001041.8的發明專利申請的分案申請。
原案申請日:2006年1月17日。
原案申請號:200610001041.8。
原案發明名稱:真空處理裝置。
技術領域
本發明涉及一種真空處理裝置,尤其涉及用于在基片上進行蝕刻處理或噴鍍處理的真空處理裝置,例如用于液晶顯示屏(LCD)面板的玻璃上,半導體晶片上,等等。
背景技術
所述真空處理裝置是一種通過在真空狀態下使用物理或化學反應,例如等離子體反應等在基片上進行蝕刻處理或噴鍍處理的裝置,例如用于液晶顯示屏面板的玻璃上,半導體晶片上。
所述真空處理裝置包括一真空處理腔,用于在基片上進行蝕刻處理或噴鍍處理;和一轉移腔,用于將基片從負載鎖定腔轉移到真空處理腔以及將基片從真空處理腔轉移到負載鎖定腔。
同時,上述的腔室,特別是所述真空處理裝置的真空處理腔需要打開進行保養或維修。
圖1是傳統的真空處理裝置的透視圖,其上蓋是可開啟的。
如圖1所示,在真空處理裝置中,作為主要處理小面積基片的半導體處理裝置,上蓋3是從腔體1通過鉸鏈5和氣缸7打開的。
但是,如圖1所示,其很難完全開啟上蓋3并在真空處理裝置的腔體1中替換安裝的內部器件。
特別是,由于在半導體處理裝置中用于處理大面積基片所安裝的內部器件十分沉重,要使用起重機替換內部器件。然而所述的內部器件不能懸掛在起重機上,因為圖1所示的半導體處理裝置的上蓋3不能翻轉。
盡管通過擴大半導體處理裝置,圖1中的半導體處理裝置上蓋能以180°角翻轉,但缺陷是半導體處理裝置的門器件也被擴大,并且半導體處理裝置的打開狀態不穩定。
圖2至圖4表示傳統真空處理裝置另一例子上蓋打開過程的透視圖。
圖2中的真空處理裝置,在韓國已公布專利文獻NO.10-2001-0067439中公開,其通過提供一旋轉提升設備15提升上蓋13從腔體11到一預定的高度。并且如圖3所示,通過使用一移動設備17將上蓋13移動到一可旋轉位置。然后如圖4所示,通過使用旋轉提升設備15打開上蓋13。在圖2至圖4中,移動設備17包括第一移動設備17a,和第二移動設備17b。
同時,由于傳統真空處理裝置中旋轉提升設備和移動設備是組合而成,很難安裝旋轉提升設備和移動設備。
另外,盡管對高度在確定范圍的傳統處理裝置安裝門設備沒有較大困難,但在小高度的上蓋上直接安裝門設備卻非常困難。
發明內容
為了解決上述問題,本發明的目的是提供一種真空處理裝置,通過一升降單元從下蓋分離出上蓋,一水平移動單元來水平移動和旋轉上蓋,使真空處理裝置的安裝變得容易。
本發明的另一目的是提供一真空處理裝置,通過從真空處理腔分隔出水平移動單元和升降單元,來防止由于上蓋水平移動引起的震動傳播到下蓋。
本發明的另一目的是提供一真空處理裝置,通過垂直于上蓋和用于從下蓋分離上蓋的轉移腔的連接方向上移動上蓋,使真空處理裝置的安裝更有效的利用空間。
為了實現上述目的,本發明提供一真空處理裝置,包括一上蓋和一下蓋,上蓋和下蓋之間的連接是可分離的來組成真空處理空間;一對下部水平移動單元各自安裝在下蓋的各側;一對上部水平移動單元,所述各上部水平移動單元在各下部移動單元之上可旋轉的和上蓋連接,并且在水平方向上移動從下蓋分開的上蓋;升降單元通過下部水平移動單元支撐并安裝在其上,所述升降單元從下蓋分離上蓋或者通過提升或降低下部水平移動單元連接上蓋和下蓋。
各個上部水平移動單元包括一上部引導單元在上蓋的各側可旋轉的連接上蓋,和一連接到上部引導單元的上部水平移動單元,使水平移動能沿著上部引導單元,該上部水平移動單元可旋轉的連接上蓋;以及各個下部水平移動單元包括一下部引導單元,其以水平方向安裝在下蓋的各邊,和一下部水平移動單元連接下部引導單元,使水平移動能沿著下部引導單元。升降單元包括至少一第一提升移動單元、該第一提升移動單元的一末端連接下部引導單元,其另一末端連接上部引導單元,第一提升移動單元提升或降低上部引導單元,和至少一第二提升移動單元、該第二提升移動單元一末端連接下部水平移動單元,其另一末端連接上部移動單元,第二提升移動單元提升或降低上部移動單元。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于IPS有限公司,未經IPS有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710188367.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種熱風富氧燒結裝置及熱風富氧燒結方法
- 下一篇:臺車合流裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





