[發明專利]垂直磁記錄介質和磁記錄裝置

無效

• 申請號: 200710186901.4
• 申請日: 2005-07-22
• 公開（公告）號: CN101159140A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 巖崎富生;細江讓
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: G11B5/73
• 分類號: G11B5/73
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

本申請是申請號為200510087477.9、申請日為2005年7月22日、發明名稱為“垂直磁記錄介質和磁記錄裝置”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明與垂直磁記錄介質和磁記錄裝置有關。

背景技術

在磁盤領域，采用以前的面內記錄方式的話，會產生隨著面記錄密度的增加、已記錄的數據會因熱的影響消失的問題。與此相對，采用垂直記錄方式的話，如公開專利公報的特開2004-39152號公報上所述的，隨著記錄密度的增加、相鄰位間的退磁也減少了，記錄數據能保持穩定。(專利文獻1特開2004-39152)

但是，在具備基板、上述基板的一主面側形成的軟磁性基底膜、與上述軟磁性基底膜接觸形成的非磁性膜、與上述非磁性膜接觸形成的中間膜、與上述中間膜接觸形成的垂直記錄層的垂直磁記錄介質中，當中間膜是Ru膜的時候，會發現存在著形成上述Ru膜時的表面平坦性不夠的問題。因此，在此中間膜上形成垂直記錄層時，中間膜與垂直記錄層的界面將變成粗糙的狀態，有可能造成產品的信賴度和功能的下降。

發明內容

本發明的第一個課題是提供信賴度高的垂直磁記錄介質。本發明的第二個課題是提供功能良好的垂直磁記錄介質。另外，本發明的第三個課題是提供信賴度高的磁記錄裝置。本發明的第四個課題是提供功能良好的磁記錄裝置。

發明者們發現了在具備基板、上述基板的一主面側形成的軟磁性基底膜、與上述軟磁性基底膜接觸形成的非磁性膜、與上述非磁性膜接觸形成的中間膜、與上述中間膜接觸形成的垂直記錄層的垂直磁記錄介質中，當中間膜是Ru膜時，粒界擴散和表面擴散很不均衡，會形成粒界溝。因為此粒界溝，表面的平坦性變差。因此，發明者們為了找到提高表面平坦性的方法進行了銳意研究，結果發現往Ru膜中添加Ti是有效的。而且，發明者們還發現當中間膜是Cu膜時，往Cu膜中添加Al是有效的。

本發明的課題是通過具備下述構造的垂直磁記錄介質和磁記錄裝置解決的。

(1)一種垂直磁記錄介質，具備：基板、在上述基板的一主面側形成的軟磁性基底膜、在上述軟磁性基底膜上形成的非磁性膜、在上述非磁性膜上形成的中間膜、以及在上述中間膜上形成的垂直記錄層，其特征在于：上述中間膜是以Ru為主要構成元素、以Ti為添加元素的材料，或者是以Cu為主要構成元素、以Al為添加元素的材料。

進一步說明的話，優選具備基板、在上述基板的一主面側形成的軟磁性基底膜、與上述軟磁性基底膜接觸形成的非磁性膜、與上述非磁性膜接觸形成的中間膜、與上述中間膜接觸形成的垂直記錄層的狀態。在此所謂的接觸實質上是指兩薄膜隔著界面處于相鄰位置的狀態。

另外，優選的垂直磁記錄介質的特征是：上述中間膜以Ru為主要構成元素、以Ti為添加元素，上述垂直記錄層以Co、Cr、Pt為構成元素，上述Cr的濃度大于等于15at.％、小于等于25at.％，上述Pt的濃度大于等于10at.％、小于等于20at.％。

(2)在上述形態中，垂直磁記錄介質的特征是：上述中間膜以Ru為主要構成元素，以Ti為添加元素、且含有的濃度大于等于0.14at.％。

另外在上述形態中，垂直磁記錄介質的特征是：上述中間膜以Ru為主要構成元素，以Ti為添加元素、且含有的濃度大于等于10at.％。

(3)在上述(1)的形態中，垂直磁記錄介質的特征是：上述中間膜以Cu為主要構成元素，以Al為添加元素、且含有的濃度大于等于0.11at.％。

另外在上述形態中，垂直磁記錄介質的特征是：上述中間膜是以Cu為主要構成元素，以Al為添加元素、且含有的濃度大于等于8at.％。

(4)一種磁記錄裝置，具備：垂直磁記錄介質，具有基板、在上述基板的一主面側形成的軟磁性基底膜、在上述軟磁性基底膜上形成的非磁性膜、在上述非磁性膜上形成的中間膜、在上述中間膜上形成的垂直記錄層；驅動部，朝記錄方向驅動上述垂直磁記錄介質；磁頭，具有記錄部和再生部；使上述磁頭與上述垂直磁記錄介質產生相對運動的裝置；以及記錄再生處理裝置，用來進行上述磁頭的信號輸入和上述磁頭的輸出信號的再生，其特征在于：上述中間膜是以Ru為主要構成元素、以Ti為添加元素的材料，或者是以Cu為主要構成元素、以Al為添加元素的材料。

優選的特征是上述垂直記錄層是以Co、Cr、Pt為構成元素，上述Cr的濃度大于等于15at.％、小于等于25at.％，上述Pt的濃度大于等于10at％、小于等于20at.％。