[發明專利]垂直磁記錄介質和磁記錄裝置

無效

• 申請號: 200710186901.4
• 申請日: 2005-07-22
• 公開（公告）號: CN101159140A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 巖崎富生;細江讓
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: G11B5/73
• 分類號: G11B5/73
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 王以平

1.一種垂直磁記錄介質，具備：基板、在上述基板的一主面側形成的第一軟磁性基底膜、在上述第一軟磁性基底膜上形成的第一非磁性膜、在上述第一非磁性膜上形成的第二軟磁性基底膜、在上述第二軟磁性基底膜上形成的第二非磁性膜、在上述第二非磁性膜上形成的中間膜、以及在上述中間膜上形成的垂直記錄層，其特征在于：上述中間膜是以Ru為主要構成元素、以Ti為添加元素的材料，或者是以Cu為主要構成元素、以Al為添加元素的材料。

2.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其特征在于：上述中間膜以Ru為主要構成元素、以Ti為添加元素，上述垂直記錄層以Co、Cr、Pt為構成元素，上述Cr的濃度大于等于15at.％、小于等于25at.％，上述Pt的濃度大于等于10at.％、小于等于20at.％。

3.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其特征在于：上述中間膜以Ru為主要構成元素，以Ti為添加元素、且含有的濃度大于等于0.14at.％。

4.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其特征在于：上述中間膜以Ru為主要構成元素，以Ti為添加元素、且含有的濃度大于等于10at.％。

5.一種磁記錄裝置，具備：

垂直磁記錄介質，具有基板、在上述基板的一主面側形成的第一軟磁性基底膜、在上述第一軟磁性基底膜上形成的第一非磁性膜、在上述第一非磁性膜上形成的第二軟磁性基底膜、在上述第二軟磁性基底膜上形成的第二非磁性膜、在上述第二非磁性膜上形成的中間膜、與上述中間膜接觸地形成的垂直記錄層；

驅動部，沿記錄方向驅動上述垂直磁記錄介質；

磁頭，具有記錄部和再生部；

使上述磁頭相對于上述垂直磁記錄介質進行相對運動的裝置；以及

記錄再生處理裝置，用來進行上述磁頭的信號輸入和上述磁頭的輸出信號的再生，

其特征在于：上述中間膜是以Ru為主要構成元素、以Ti為添加元素的材料，或者是以Cu為主要構成元素、以Al為添加元素的材料。

6.如權利要求5所述的磁記錄裝置，其特征在于：上述垂直記錄層以Co、Cr、Pt為構成元素，上述Cr的濃度大于等于15at.％、小于等于25at.％，上述Pt的濃度大于等于10at.％、小于等于20at.％。

7.如權利要求5所述的磁記錄裝置，其特征在于：上述中間膜以Ru為主要構成元素，以Ti為添加元素、且含有的濃度大于等于0.14at.％。

8.如權利要求5所述的磁記錄裝置，其特征在于：上述中間膜以Ru為主要構成元素，以Ti為添加元素、且含有的濃度大于等于10at.％。