[發明專利]熱工藝裝置、清潔其透光元件的方法及利用此裝置的工藝無效
| 申請號: | 200710186061.1 | 申請日: | 2007-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN101436525A | 公開(公告)日: | 2009-05-20 |
| 發明(設計)人: | 王裕庸;吳興隆;梁昭湖;林圣堯;施惠紳;簡佑芳 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/324;B08B7/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工藝 裝置 清潔 透光 元件 方法 利用 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體裝置以及使用此裝置的半導體工藝,且特別涉及一種清潔熱工藝裝置內的透光元件的方法、熱工藝及熱工藝裝置。
背景技術
隨著,半導體工業的發展趨勢往低成本與高元件密度的制造技術為導向。快速熱工藝(Rapid?Thermal?Processing,RTP)處理已逐漸取代傳統用高溫爐做的加熱處理步驟,且其在未來集成電路工藝的重要性已是無庸置疑的。而且,這項技術不論在研究或商用的領域中,已應用于許多半導體的工藝上。
一般而言,快速熱工藝(RTP)的設備主要包括有晶片保持座(waferholder),用以承載晶片;一組加熱燈具(lamp),配置在晶片上方;以及石英視窗(quartz?window),配置在加熱燈具與晶片之間,而加熱燈具所發出的光會透過石英視窗傳遞至晶片上。石英視窗為透明的材料,其功用為:將燈具的光均勻地照射至晶片上,使晶片上的工藝層具有高可靠度以及均一性。
利用快速熱工藝(RTP)的設備進行相關的半導體工藝時,常會使得靠近晶片的石英視窗表面產生一些附著物。這些附著物會造成光穿透石英視窗時的均勻性不佳,進而影響工藝的成品率。而且,當附著物厚度變厚時,易受石英的應力影響而導致附著物剝落(peeling)至晶片上,使工藝成品率降低,嚴重時甚致會使產品報廢。
目前,對石英視窗表面的附著物的處理方式,只能是消極地監測每次工藝的附著物增量,當附著物厚度偏高時再替換一個新的石英視窗。這樣的作法是不僅影響機臺利用時間(up-time),亦會大幅地增加維修成本,且還會有產品報廢之虞。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的就是在提供一種清潔熱工藝裝置的透光元件的方法、熱工藝及熱工藝裝置,能夠已知的種種問題,提高燈源通過透光元件的均勻性,以及降低工藝成本、提高工藝成品率。
本發明提出一種清潔熱工藝裝置的透光元件的方法。前述透光元件是位于此裝置的反應腔室內,而反應腔室內至少包括晶片保持座,用以承載晶片,且配置于透光元件下方;以及能量源輸出元件,配置于透光元件上方。本發明的方法例如是,進行表面處理步驟,清潔透光元件的表面。
依照本發明的實施例所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法,上述的表面處理步驟用以清除透光元件的表面的附著物或者是使附著物澄清化。
依照本發明的實施例所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法,上述的表面處理步驟可同時清潔晶片保持座。
依照本發明的實施例所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法,上述的表面處理步驟為通入處理氣體的步驟。其中,處理氣體的步驟的溫度為大于等于500℃,通氣時間為大于等于5秒。若附著物為有機材料,則處理氣體例如是含有氧原子的氣體或混合氣體,其例如是氧氣、臭氧、氮氣、氙氣或其組合。若附著物為金屬材料或無機材料,則處理氣體例如是鹵素氣體或其組合,其例如是氟、氯、溴或其組合。
依照本發明的實施例所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法,上述的表面處理步驟還包括利用紫外線光源、電子束、鹵素燈源、紅外線光源、激光、微波、電波或電磁場。
依照本發明的實施例所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法,上述的能量源輸出元件例如是提供紫外線光源、鹵素燈源、紅外線光源、激光、電子束、微波、電波或電磁場的元件。
依照本發明的實施例所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法,上述的熱工藝裝置為快速熱工藝裝置。
本發明另提出一種利用熱工藝裝置的工藝。前述裝置的反應腔室內至少包括透光元件;晶片保持座,用以承載晶片,且配置于透光元件下方;以及能量源輸出元件,配置于透光元件上方。本發明的熱工藝例如是,先對晶片進行工藝步驟,然后再進行表面處理步驟,清潔透光元件的表面,并同時移除透光元件的表面的附著物。
依照本發明的實施例所述的利用熱工藝裝置的工藝,上述的表面處理步驟為通入處理氣體的步驟。其中,處理氣體的步驟的溫度為大于等于500℃,通氣時間為大于等于5秒。若附著物為有機材料,則處理氣體例如是含有氧原子的氣體或混合氣體,其例如是氧氣、臭氧、氮氣、氙氣或其組合。若附著物為金屬材料或無機材料,則處理氣體例如是鹵素氣體或其組合,其例如是氟、氯、溴或其組合。
依照本發明的實施例所述的利用熱工藝裝置的工藝,上述的表面處理步驟還包括利用紫外線光源、電子束、鹵素燈源、紅外線光源、激光、微波、電波或電磁場。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





