[發(fā)明專(zhuān)利]熱工藝裝置、清潔其透光元件的方法及利用此裝置的工藝

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710186061.1
• 申請(qǐng)日: 2007-11-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101436525A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王裕庸;吳興隆;梁昭湖;林圣堯;施惠紳;簡(jiǎn)佑芳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/00;H01L21/324;B08B7/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，該透光元件是位于該裝置的反應(yīng)腔室內(nèi)，而該反應(yīng)腔室內(nèi)至少包括晶片保持座，用以承載晶片，且配置于該透光元件下方；以及能量源輸出元件，配置于該透光元件上方，該方法包括：

進(jìn)行表面處理步驟，清潔該透光元件的表面。

2.如權(quán)利要求1所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中該表面處理步驟用以清除該透光元件的表面的附著物或者是使該附著物澄清化。

3.如權(quán)利要求1所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中該表面處理步驟可同時(shí)清潔該晶片保持座。

4.如權(quán)利要求1所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中該表面處理步驟為通入處理氣體的步驟。

5.如權(quán)利要求4所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中該處理氣體的步驟的溫度為大于等于500℃。

6.如權(quán)利要求4所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中該通入處理氣體的步驟的時(shí)間為大于等于5秒。

7.如權(quán)利要求4所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中附著物為有機(jī)材料，則該處理氣體包括氧氣、臭氧、氮?dú)狻㈦瘹饣蚱浣M合。

8.如權(quán)利要求4所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中附著物為金屬材料或無(wú)機(jī)材料，則該處理氣體包括鹵素氣體或其組合。

9.如權(quán)利要求1所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中該表面處理步驟還包括利用紫外線(xiàn)光源、電子束、鹵素?zé)粼础⒓t外線(xiàn)光源、激光、微波、電波或電磁場(chǎng)。

10.如權(quán)利要求1所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中該能量源輸出元件包括提供紫外線(xiàn)光源、鹵素?zé)粼础⒓t外線(xiàn)光源、激光、電子束、微波、電波或電磁場(chǎng)的元件。

11.如權(quán)利要求1所述的清潔熱工藝裝置的透光元件的方法，其中該熱工藝裝置為快速熱工藝裝置。

12.一種利用熱工藝裝置的工藝，該熱工藝裝置的反應(yīng)腔室內(nèi)至少包括透光元件；晶片保持座，用以承載晶片，且配置于該透光元件下方；以及能量源輸出元件，配置于該透光元件上方，該工藝包括：

先對(duì)該晶片進(jìn)行工藝步驟；以及

再進(jìn)行表面處理步驟，清潔該透光元件的表面，并同時(shí)移除該透光元件的表面的附著物。

13.如權(quán)利要求12所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中該表面處理步驟為通入處理氣體的步驟。

14.如權(quán)利要求13所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中該處理氣體的步驟的溫度為大于等于500℃。

15.如權(quán)利要求13所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中該通入處理氣體的步驟的時(shí)間為大于等于5秒。

16.如權(quán)利要求13所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中附著物為有機(jī)材料，則該處理氣體包括氧氣、臭氧、氮?dú)狻㈦瘹饣蚱浣M合。

17.如權(quán)利要求13所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中附著物為金屬材料或無(wú)機(jī)材料，則該處理氣體包括鹵素氣體或其組合。

18.如權(quán)利要求12所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中該表面處理步驟還包括利用紫外線(xiàn)光源、電子束、鹵素?zé)粼础⒓t外線(xiàn)光源、激光、微波、電波或電磁場(chǎng)。

19.如權(quán)利要求12所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中該能量源輸出元件包括提供紫外線(xiàn)光源、鹵素?zé)粼础⒓t外線(xiàn)光源、激光、電子束、微波、電波或電磁場(chǎng)的元件。

20.如權(quán)利要求12所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中該工藝步驟包括金屬硅化物工藝、退火工藝、沉積工藝、低介電材料處理或紫外光固化工藝。

21.如權(quán)利要求20所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中當(dāng)該工藝步驟為金屬硅化物工藝，則在該工藝步驟之后、該表面處理步驟之前，將該晶片移出該反應(yīng)腔室外。

22.如權(quán)利要求12所述的利用熱工藝裝置的工藝，其中該熱工藝裝置為快速熱工藝裝置。