[發明專利]在與非閃存陣列中施加讀電壓的方法有效
| 申請號： | 200710184823.4 | 申請日： | 2007-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN101174469A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發明（設計）人： | 姜炯奭;韓義奎;韓庚洙;李真燁;金厚成 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C16/26 | 分類號： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 邵亞麗 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 閃存 陣列 施加 電壓 方法 | ||
1.一種操作具有至少一個存儲單元串的閃存陣列的方法，所述存儲單元串中的串選擇晶體管、多個存儲單元、以及接地選擇晶體管相互串聯連接，該方法包括：
將地電壓電平施加到對于讀操作從存儲單元串中選擇的所選擇的存儲單元的字線；以及
在讀操作期間，選擇性地將讀電壓電平施加到對于讀操作未選擇的未選擇存儲單元的字線，其中所述讀電壓電平基于未選擇存儲單元在存儲單元串中的位置而變化。
2.如權利要求1所述的方法，其中施加到存儲單元串中的、與串選擇晶體管和接地選擇晶體管緊鄰的未選擇存儲單元的字線的第一讀電壓電平小于施加到剩余的未選擇存儲單元的字線的第二讀電壓電平。
3.如權利要求2所述的方法，其中與串選擇晶體管相鄰的未選擇存儲單元晶體管的柵極和串選擇晶體管的柵極之間的距離大于存儲單元串中的存儲單元晶體管的柵極之間的距離。
4.如權利要求2所述的方法，其中與接地選擇晶體管相鄰的未選擇存儲單元晶體管的柵極和接地選擇晶體管的柵極之間的距離大于存儲單元串中的存儲單元晶體管的柵極之間的距離。
5.一種操作具有至少一個存儲單元串的閃存陣列的方法，所述存儲單元串中的串選擇晶體管、多個存儲單元、以及接地選擇晶體管相互串聯連接，該方法包括：
將地電壓電平施加到對于讀操作從存儲單元串中選擇的存儲單元的字線；
選擇性地將第一讀電壓電平施加到存儲單元串中的、與串選擇晶體管和接地選擇晶體管緊鄰的未選擇存儲單元的字線；以及
選擇性地將第二讀電壓電平施加到連接至串選擇晶體管的柵極的串選擇線和連接至接地選擇晶體管的柵極的接地選擇線。
6.如權利要求5所述的方法，其中與串選擇晶體管相鄰的存儲單元晶體管的柵極和串選擇晶體管的柵極之間的距離大于位于串選擇晶體管和接地選擇晶體管之間的存儲單元晶體管的柵極之間的距離。
7.如權利要求5所述的方法，其中與接地選擇晶體管緊鄰的存儲單元晶體管的柵極和接地選擇晶體管的柵極之間的距離大于位于串選擇晶體管和接地選擇晶體管之間的存儲單元晶體管的柵極之間的距離。
8.如權利要求5所述的方法，其中所述第二讀電壓小于所述第一讀電壓。
9.如權利要求5所述的方法，其中在將相應的讀電壓施加到存儲單元的字線之前，執行選擇性地將第一讀電壓施加到串選擇線和接地選擇線。
10.如權利要求5所述的方法，其中在讀操作之前，所述方法還包括：將連接到存儲單元串的位線預充電至預充電電壓電平。
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