[發明專利]基板載置臺的制造方法

有效

• 申請號: 200710181964.0
• 申請日: 2007-10-17
• 公開（公告）號: CN101207062A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 長山將之;上田雄大;小林義之;大橋薰
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/00;C23C16/458;C23F4/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及基板載置臺的制造方法，特別是涉及適合半導體基板等的等離子體處理的基板載置臺的制造方法。

背景技術

目前，例如在對半導體基板等實施等離子體蝕刻等的等離子體處理的基板處理裝置等中，在載置基板的載置臺上具有用于向基板背面側供給氦氣等冷卻氣體的流體供給機構已為大家所公知。另外，在上述基板載置臺上，作為構成靜電卡盤的絕緣層等而在基板載置面上設置Al₂O₃等陶瓷噴鍍層也為大家所熟知(例如，參照專利文獻1)。

【專利文獻1】特開2004-47653號公報

在制造上述基板載置臺的情況下，在陶瓷噴鍍時，噴鍍陶瓷從在載置面上所形成的氣體噴出孔侵入氣體供給通道內。因此，必須進行清洗侵入氣體供給通道內部并且附著在其底部等的噴鍍陶瓷并沖洗的工序。

但是，本發明人等經過研究后發現，牢固地附著在氣體供給通道底部等處的噴鍍陶瓷等有時用清洗的辦法也難以完全除去，有時噴鍍陶瓷作為噴鍍殘渣而殘留。并且存在這樣的問題，作為產品而使用中，該噴鍍殘渣剝落，從而污染半導體晶片或處理腔室內部，并且導致發生氣體供給孔的孔堵塞從而發生因冷卻氣體壓力下降所引起的控溫方面的不良情況。

發明內容

本發明就是針對上述現有的情況而產生的，其目的在于提供一種基板載置臺的制造方法，不僅能夠防止在流體通道內殘留噴鍍殘渣，而且，能夠防止發生噴鍍殘渣導致的污染、以及防止發生流體通道的孔堵塞。

本發明第一方面的基板載置臺的制造方法，其特征在于，該基板載置臺具有：載置基板的載置面；在上述載置面上開口并向該載置面與上述基板之間供給氣體的多個氣體噴出孔；和用于向上述氣體噴出孔供給氣體的氣體供給通道，并且該基板載置臺設置有覆蓋上述載置面的陶瓷噴鍍層，

該基板載置臺的制造方法包括：

至少在與上述氣體噴出孔相對的部位的上述氣體供給通道的內壁上形成能夠除去的膜的工序；

在上述載置面上形成陶瓷噴鍍層的陶瓷噴鍍工序；和

除去上述膜的膜除去工序。

本發明第二方面的基板載置臺的制造方法，其特征在于，在本發明第一方面所述的基板載置臺的制造方法中，上述陶瓷噴鍍工序一邊從上述氣體噴出孔噴出氣體，一邊在上述載置面上噴鍍陶瓷。

本發明第三方面的基板載置臺的制造方法，其特征在于，在第一方面或第二方面所述上述的基板載置臺的制造方法中，上述氣體供給通道被多個上述氣體噴出孔共有。

本發明第四方面的基板載置臺的制造方法，其特征在于，在第一方面～第三方面中任一方面所述的基板載置臺的制造方法中，上述膜由丙烯酸樹脂構成。

本發明第五方面的基板載置臺的制造方法，其特征在于，在第四方面所述的基板載置臺的制造方法中，在上述膜除去工序中，使用有機溶劑除去上述膜。

本發明第六方面的基板載置臺的制造方法，其特征在于，在第五方面所述的基板載置臺的制造方法中，上述有機溶劑為丙酮。

本發明第七方面的基板載置臺的制造方法，其特征在于，在第一方面～第六方面中任一方面所述的基板載置臺的制造方法中，預先設置用于將清洗用流體導入上述氣體供給通道內和將其排出的多個清洗用開口部，在上述膜除去工序中，將清洗用流體從上述清洗用開口部導入上述氣體供給通道內和將其排出。

發明效果

根據本發明，可以提供一種基板載置臺的制造方法，不僅能夠防止在流體通道內殘留噴鍍殘渣，而且，能夠防止發生噴鍍殘渣導致的污染、以及防止發生流體通道的孔堵塞。

附圖說明

圖1是本發明實施方式的等離子體蝕刻裝置的概略構造圖。

圖2是本發明實施方式的基板載置臺的主要部分截面構造的放大示意圖。

圖3是圖2的基板載置臺的第一板狀部件的上面側的構造圖。

圖4是圖3的第一板狀部件的下面側的構造圖。

圖5是圖2的基板載置臺的第二板狀部件的上面側的構造圖。

圖6是用于說明本發明實施方式的基板載置臺的制造工序的流程圖。

圖7是用于說明圖6的實施方式的基板載置臺的制造工序的圖。

符號說明

5基板載置臺、10絕緣材料(陶瓷噴鍍層)、11靜電卡盤、12電極、510第一板狀部件、511噴出孔、512槽、520第二板狀部件

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。圖1表示作為具有本實施方式的基板載置臺的基板處理裝置的等離子體蝕刻裝置斷面構造。首先，參照圖1對等離子體蝕刻裝置的構造進行說明。