[發明專利]基板載置臺的制造方法有效
| 申請號: | 200710181964.0 | 申請日: | 2007-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN101207062A | 公開(公告)日: | 2008-06-25 |
| 發明(設計)人: | 長山將之;上田雄大;小林義之;大橋薰 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/00;C23C16/458;C23F4/00 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板載置臺 制造 方法 | ||
1.一種基板載置臺的制造方法,其特征在于,
該基板載置臺具有:載置基板的載置面;在所述載置面上開口并向該載置面與所述基板之間供給氣體的多個氣體噴出孔;和用于向所述氣體噴出孔供給氣體的氣體供給通道,并且該基板載置臺設置有覆蓋所述載置面的陶瓷噴鍍層,
該基板載置臺的制造方法包括:
至少在與所述氣體噴出孔相對的部位的所述氣體供給通道的內壁上形成能夠除去的膜的工序;
在所述載置面上形成陶瓷噴鍍層的陶瓷噴鍍工序;和
除去所述膜的膜除去工序。
2.如權利要求1所述的基板載置臺的制造方法,其特征在于,
所述陶瓷噴鍍工序一邊從所述氣體噴出孔噴出氣體,一邊在所述載置面上噴鍍陶瓷。
3.如權利要求1或2所述的基板載置臺的制造方法,其特征在于,
所述氣體供給通道被多個所述氣體噴出孔共有。
4.如權利要求1~3中任一項所述的基板載置臺的制造方法,其特征在于,所述膜由丙烯酸樹脂構成。
5.如權利要求4所述的基板載置臺的制造方法,其特征在于,
在所述膜除去工序中,使用有機溶劑除去所述膜。
6.如權利要求5所述的基板載置臺的制造方法,其特征在于,
所述有機溶劑為丙酮。
7.如權利要求1~6中任一項所述的基板載置臺的制造方法,其特征在于,預先設置用于將清洗用流體導入所述氣體供給通道內和將其排出的多個清洗用開口部,在所述膜除去工序中,將清洗用流體從所述清洗用開口部導入所述氣體供給通道內和將其排出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





