[發明專利]砷化鎵晶片的激光加工方法

有效

• 申請號: 200710181938.8
• 申請日: 2007-10-17
• 公開（公告）號: CN101165877A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 古田健次
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/38;B23K26/40;B23K101/40
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黨曉林

技術領域

本發明涉及砷化鎵晶片的激光加工方法，其沿著形成在砷化鎵(GaAs)晶片上的分割預定線照射激光，從而沿著分割預定線切斷砷化鎵(GaAs)晶片。

背景技術

如本專業的人員所周知，在半導體器件的制造工序中，在硅基板的表面上形成有半導體晶片，該半導體晶片將多個IC、LSI等器件形成為矩陣狀。這樣形成的半導體晶片的上述器件通過稱為間隔道的分割預定線進行劃分，通過沿著該間隔道進行切斷，來制造出一個個的半導體芯片。此外，將混合IC或高速IC等高性能器件形成在砷化鎵(GaAs)基板的表面上的砷化鎵(GaAs)晶片正被實用化。

作為沿著間隔道切斷由這樣的硅晶片構成的半導體晶片或砷化鎵(GaAs)晶片的方法，提出有這樣的技術：通過沿著形成在晶片上的間隔道照射脈沖激光光線，來實施燒蝕加工，從而形成激光加工槽。(例如，參考專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開平10-305420號公報

但是，當沿著晶片的間隔道照射激光光線進行燒蝕加工時，熱能集中在激光光線照射區域中，從而產生碎屑(debris)，該碎屑附著在器件的表面，因而產生了使芯片的品質降低這一新問題。

為了解除這樣的由碎屑引起的問題，提出有這樣的激光加工方法：在晶片的加工面上覆蓋由聚乙烯醇等液狀樹脂構成的碎屑屏蔽膜，通過碎屑屏蔽膜來向晶片照射激光光線。(例如，參照專利文獻2)。

專利文獻2：日本特開2004-188475號公報

然而，當利用上述的激光加工方法切斷砷化鎵(GaAs)晶片時，存在分割后的各個芯片的抗彎強度降低這一問題。

根據本發明人的實驗，在利用上述激光加工方法對硅晶片進行了切斷的情況下，當在經分割的芯片的切斷面上附著有碎屑時，抗彎強度降低?？墒?，當利用上述激光加工方法對砷化鎵(GaAs)晶片進行切斷時，可知，與在經分割的芯片的切斷面上沒有附著碎屑的情況相比，附著有碎屑的抗彎強度增大。

發明內容

本發明鑒于上述狀況而完成，其主要技術課題在于提供一種砷化鎵晶片的激光加工方法，在通過沿著砷化鎵(GaAs)晶片的間隔道照射激光光線進行燒蝕加工，來沿著間隔道切斷砷化鎵(GaAs)晶片時，能夠使由于照射激光光線而產生的碎屑附著在切斷面上。

為了解決上述的主要技術課題，根據本發明，提供一種砷化鎵晶片的激光加工方法，其是沿著砷化鎵晶片的間隔道照射激光光線，從而沿著間隔道切斷砷化鎵晶片的方法，所述砷化鎵晶片構成為在砷化鎵基板的表面上，在由形成為格子狀的間隔道劃分而成的多個區域中形成有器件，特征在于，

所述砷化鎵晶片的激光加工方法包括：

晶片支承工序，將砷化鎵基板的背面粘貼在保護部件上；

碎屑屏蔽膜覆蓋工序，在粘貼于保護部件上的砷化鎵基板的表面上覆蓋碎屑屏蔽膜；

激光加工槽形成工序，在表面上覆蓋有所述碎屑屏蔽膜的砷化鎵基板上，從所述碎屑屏蔽膜側沿著間隔道對砷化鎵基板照射具有吸收性的波長的激光光線，從而沿著間隔道形成不到達背面的激光加工槽；以及

切斷工序，在形成了所述激光加工槽的砷化鎵基板上，沿著所述激光加工槽對砷化鎵基板照射具有吸收性的波長的激光光線，從而沿著所述激光加工槽形成到達背面的切斷槽。

所述激光加工槽形成工序形成深度在砷化鎵基板的厚度的1/2以上的激光加工槽，所述切斷工序通過一次激光光線的照射來形成到達背面的切斷槽。

根據本發明所述的砷化鎵晶片的激光加工方法，由于在實施激光加工槽形成工序以在砷化鎵基板上沿著間隔道形成不到達背面的激光加工槽之后，實施沿著激光加工槽照射激光光線以形成到達背面的切斷槽的切斷工序，因此，在切斷工序中，由于激光光線的照射而產生和飛散的碎屑附著在上述激光加工槽的壁面(切斷面)上部。從而，在沿著形成于砷化鎵基板上的間隔道而分割的芯片的各切斷面的表面附近，附著有微細的碎屑，因此，芯片的抗彎強度增大。此外，在本發明中，在實施上述激光加工槽形成工序和切斷工序之前，實施碎屑屏蔽膜覆蓋工序，由此來在砷化鎵基板的表面上形成碎屑屏蔽膜，因此，在實施激光加工槽形成工序和切斷工序時，由于激光光線的照射而產生和飛散的碎屑被碎屑屏蔽膜遮蔽，從而不會附著在器件上。

附圖說明

圖1是利用本發明所述的砷化鎵晶片的激光加工方法而分割為一個個芯片的砷化鎵晶片的立體圖。

圖2是本發明所述的砷化鎵晶片的激光加工方法中的晶片支承工序的說明圖。

圖3是本發明所述的砷化鎵晶片的激光加工方法中的碎屑屏蔽膜覆蓋工序的說明圖。