[發明專利]砷化鎵晶片的激光加工方法

有效

• 申請號: 200710181938.8
• 申請日: 2007-10-17
• 公開（公告）號: CN101165877A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 古田健次
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/38;B23K26/40;B23K101/40
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黨曉林

1.一種砷化鎵晶片的激光加工方法，其是沿著砷化鎵晶片的間隔道照射激光光線，從而沿著間隔道切斷砷化鎵晶片的方法，所述砷化鎵晶片構成為在砷化鎵基板的表面上，在由形成為格子狀的間隔道劃分而成的多個區域中形成有器件，特征在于，

所述砷化鎵晶片的激光加工方法包括：

晶片支承工序，將砷化鎵基板的背面粘貼在保護部件上；

碎屑屏蔽膜覆蓋工序，在粘貼于保護部件上的砷化鎵基板的表面上覆蓋碎屑屏蔽膜；

激光加工槽形成工序，在表面上覆蓋有所述碎屑屏蔽膜的砷化鎵基板上，從所述碎屑屏蔽膜側沿著間隔道對砷化鎵基板照射具有吸收性的波長的激光光線，從而沿著間隔道形成不到達背面的激光加工槽；以及

切斷工序，在形成了所述激光加工槽的砷化鎵基板上，沿著所述激光加工槽對砷化鎵基板照射具有吸收性的波長的激光光線，從而沿著所述激光加工槽形成到達背面的切斷槽。

2.如權利要求1所述的砷化鎵晶片的激光加工方法，其特征在于，

所述激光加工槽形成工序形成深度在砷化鎵基板的厚度的1/2以上的激光加工槽，所述切斷工序通過一次激光光線的照射來形成到達背面的切斷槽。