[發(fā)明專利]調(diào)節(jié)電路中閾值電壓的結(jié)構(gòu)和方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710181876.0
• 申請(qǐng)日: 2007-10-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101187819A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾德華·J.·諾瓦克;小威廉·F.·克拉克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號(hào): G05F1/46
• 分類號(hào): G05F1/46
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 付建軍

1.一種結(jié)構(gòu)，包括：

被分為小塊的電路，所述小塊具有與制程變化相關(guān)的特性長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的預(yù)定的物理尺寸；

位于每個(gè)電路小塊中的局部電路；和

耦合到每個(gè)局部電路的參考信號(hào)，

其中所述局部電路響應(yīng)于所述參考信號(hào)產(chǎn)生補(bǔ)償信號(hào)，從而將各個(gè)小塊的電參數(shù)調(diào)整為預(yù)定的值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中各個(gè)小塊的電參數(shù)被調(diào)整為具有大致等于參考信號(hào)值的一個(gè)值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中所述局部電路包括電壓調(diào)節(jié)器電路，所述參考信號(hào)包括全局參考Vt信號(hào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中小塊的尺寸是快速熱退火工序的物理范圍的一半。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中小塊具有2mm×2mm的尺寸。

6.一種用于調(diào)節(jié)電路中閾值電壓的方法，其中在所述電路上具有制程變化，該方法包括：

將電路分為多個(gè)小塊；

調(diào)節(jié)每個(gè)小塊中的局部閾值。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中局部閾值電壓被調(diào)節(jié)為與電路的全局閾值電壓參考值相對(duì)應(yīng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中根據(jù)與電路上產(chǎn)生變化的工序相關(guān)的特性尺寸來(lái)確定小塊的尺寸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中當(dāng)導(dǎo)致變化的工序是快速熱退火時(shí)，小塊的尺寸確定為快速熱退火工序的物理范圍的一半。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中小塊具有2mm×2mm的尺寸。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述調(diào)節(jié)包括：產(chǎn)生阱偏壓，從而局部閾值電壓與全局閾值電壓參考值相同。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括將每個(gè)小塊耦合到至少一個(gè)調(diào)節(jié)器。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述至少一個(gè)調(diào)節(jié)器包括用于nFET的調(diào)節(jié)器和用于pFET的調(diào)節(jié)器。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述至少一個(gè)調(diào)節(jié)器僅包括用于nFET或pFET之一的調(diào)節(jié)器，所述方法進(jìn)一步包括從調(diào)節(jié)器的偏壓推斷nFET或pFET中另一個(gè)的局部閾值電壓。

15.一種具有長(zhǎng)度方向變化的參數(shù)的電路，包括：

多個(gè)小塊；

耦合到每個(gè)小塊的至少一個(gè)調(diào)節(jié)器；

耦合到所述至少一個(gè)調(diào)節(jié)器每一個(gè)的參考信號(hào)；和

所述至少一個(gè)調(diào)節(jié)器構(gòu)造并設(shè)置成給每個(gè)小塊傳送信號(hào)，從而上述長(zhǎng)度方向變化的參數(shù)對(duì)應(yīng)于參考信號(hào)的值。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電路，其中根據(jù)產(chǎn)生所述長(zhǎng)度方向變化的工序來(lái)確定小塊的尺寸。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電路，其中小塊具有2mm×2mm的尺寸。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電路，其中所述至少一個(gè)調(diào)節(jié)器包括用于每個(gè)小塊的nFET的調(diào)節(jié)器和用于每個(gè)小塊的pFET的調(diào)節(jié)器。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電路，其中所述至少一個(gè)調(diào)節(jié)器僅包括用于nFET或pFET之一的調(diào)節(jié)器，所述電路進(jìn)一步包括用于從由調(diào)節(jié)器傳送的信號(hào)推斷nFET或pFET中另一個(gè)的隨長(zhǎng)度方向變化的參數(shù)。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電路，其中所述參數(shù)包括閾值電壓，所述參考信號(hào)是電路的全局閾值電壓參考值，由所述至少一個(gè)調(diào)節(jié)器傳送的信號(hào)是阱偏壓，從而每個(gè)小塊的局部閾值電壓與全局閾值電壓參考值相同。