[發明專利]減少噪聲干擾的封裝結構無效
| 申請號： | 200710181698.1 | 申請日： | 2007-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN101217139A | 公開（公告）日： | 2008-07-09 |
| 發明（設計）人： | 田炯岳 | 申請（專利權）人： | 菱生精密工業股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/552 | 分類號： | H01L23/552;H01L23/06;H05K9/00;H05K5/03;H05K5/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 臺灣省*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 減少 噪聲 干擾 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種減少噪聲干擾的封裝結構，其特征在于，包含有：
一基板；
一蓋體，是由硅基材摻雜非金屬材料所制成，該蓋體設于該基板而形成有一容室；以及
一芯片，設于該基板且位于該容室內。
2.依據權利要求1所述的減少噪聲干擾的封裝結構，其特征在于，其中該蓋體的電阻系數小于102Ω-m。
3.依據權利要求1所述的減少噪聲干擾的封裝結構，其特征在于，其中該蓋體是為P型半導體，其所摻雜的非金屬材料是為3A元素。
4.依據權利要求1所述的減少噪聲干擾的封裝結構，其特征在于，其中該蓋體是為N型半導體，其所摻雜的非金屬材料是為5A元素。
5.依據權利要求1所述的減少噪聲干擾的封裝結構，其特征在于，其中該基板具有一導接區，該導接區電性連接該蓋體。
6.依據權利要求5所述的減少噪聲干擾的封裝結構，其特征在于，其中該導接區是進行接地。
7.依據權利要求1項所述的減少噪聲干擾的封裝結構，其特征在于，其中該蓋體是以離子布植方式制成。
8.依據權利要求1所述的減少噪聲干擾的封裝結構，其特征在于，其中該蓋體具有一開口，該芯片具有一作用區是對應于該開口。
9.依據權利要求1所述的減少噪聲干擾的封裝結構，其特征在于，其中該基板具有一開口，該芯片具有一作用區是對應于該開口。
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