[發明專利]共燒陶瓷模塊

無效

• 申請號: 200710181151.1
• 申請日: 2007-10-12
• 公開（公告）號: CN101409997A
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發明（設計）人: 魏志宏;謝俞枰
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: H05K7/20
• 分類號: H05K7/20;H05K1/03
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 魏曉剛;陳小雯

1、一種共燒陶瓷模塊，包括：

陶瓷基板，具有至少一高導熱材料；以及

至少一發熱元件，設置于該陶瓷基板。

2、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該陶瓷基板為低溫共燒陶瓷基板、載板或電路板。

3、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該陶瓷基板通過陶瓷材料、無機粘結劑、該高導熱材料及其他所需材料混合配制為漿料，再利用一刮刀成型為生胚片，且在低于1000℃的溫度下進行燒結而成。

4、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該高導熱材料具有氮化鋁、碳化硅、藍寶石或氧化鈹。

5、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該發熱元件為發光二極管、太陽能電池、芯片、封裝體、無源元件或有源元件。

6、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該發熱元件以共金、焊錫或銀膠而設置于該陶瓷基板。

7、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該發熱元件與陶瓷基板通過倒裝片接合、四方扁平封裝體、表面安裝技術或針柵陣列方式連結。

8、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該陶瓷基板具有多個連接墊，該發熱元件與這些連接墊直接連結或以引線鍵合或球柵陣列封裝方式與這些連接墊連結。

9、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該發熱元件引線鍵合于電路板。

10、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該陶瓷基板的導電路徑及導熱路徑為相同或不同方向。

11、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該陶瓷基板具有至少一凹槽，該發熱元件設置于該凹槽內。

12、如權利要求11所述的共燒陶瓷模塊，其中該凹槽經由在一生胚片上打孔，再進行燒結而成。

13、如權利要求11所述的共燒陶瓷模塊，其中該凹槽經由刨、刮、研磨或壓印方式成型，再進行燒結，燒結后再進行細部研磨而成。

14、如權利要求11所述的共燒陶瓷模塊，其中該凹槽經由先燒結一生胚片，再以刨、刮或研磨方式成型。

15、如權利要求11所述的共燒陶瓷模塊，其中該凹槽經由在一生胚片上打孔，再以刨、刮、研磨或壓印方式成型，再進行燒結，燒結后再進行細部研磨而成。

16、如權利要求11所述的共燒陶瓷模塊，其中該凹槽經由在一生胚片上打孔，進行燒結，再以刨、刮或研磨方式成型。

17、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其還包含框架，設置于該陶瓷基板，且具有至少一凹槽，該發熱元件設置于該凹槽內。

18、如權利要求17所述的共燒陶瓷模塊，其中該框架的材料選自陶瓷、金屬及高分子材料所構成的組。

19、如權利要求11或17所述的共燒陶瓷模塊，其中該凹槽的內緣具有斜面、曲面、直立面或呈階梯狀。

20、如權利要求11或17所述的共燒陶瓷模塊，其中該凹槽的內緣具有反射面。

21、如權利要求20所述的共燒陶瓷模塊，其中該反射面由電鍍、化學鍍、涂布或轉印而成型于該凹槽的內緣。

22、如權利要求11或17所述的共燒陶瓷模塊，其中這些凹槽呈陣列設置。

23、如權利要求1所述的共燒陶瓷模塊，其中該陶瓷基板還具有至少一高導電材料。

24、如權利要求23所述的共燒陶瓷模塊，其中該高導電材料包括銀或銀-鈀。

25、如權利要求23所述的共燒陶瓷模塊，其中該陶瓷基板包括：

多層導熱層，分別具有該高導熱材料，該發熱元件設置于其中的一層導熱層；以及

多層導電層，分別具有該高導電材料，這些導電層分別與這些導熱層交互設置，且該發熱元件與至少其中的一層導電層電性連接。

26、如權利要求1或25所述的共燒陶瓷模塊，其中該陶瓷基板還包括金屬層、至少一導熱孔或至少一導電孔。

27、如權利要求25所述的共燒陶瓷模塊，其中該陶瓷基板經由陶瓷材料、無機粘結劑、該高導熱材料及其他所需材料混合配制為漿料；再利用刮刀成型為多個生胚片；在個別生胚片上利用網印技術形成電路圖案，電路圖案的材料具有該高導電材料；疊壓這些生胚片，并在低于1000℃的溫度燒結而成。