[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710180919.3
• 申請日: 2007-10-09
• 公開（公告）號: CN101409210A
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳奇煌;楊建榮
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/335;H01L21/8242;H01L29/772;H01L27/108
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳 晨

1.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包括以下步驟：

提供上方具有堆疊層的襯底，其中該堆疊層與該襯底具有溝槽；

進行外延工藝，以在該溝槽的側(cè)壁與底部形成外延層，且于該外延層中加入摻雜物；

在該外延層的表面順應(yīng)性沉積氧化層；以及

除去部分位于該溝槽底部的該氧化層和該外延層以露出部分該襯底，其中位于該溝槽的側(cè)壁的外延層作為晶體管的源極/漏極區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該外延工藝為現(xiàn)場外延工藝。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，在進行該外延工藝的步驟前包括：

去除該溝槽底部與側(cè)壁的原生氧化物層。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中除去部分位于該溝槽底部的該氧化層和該外延層以露出部分該襯底的方法為反應(yīng)性離子蝕刻法。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該襯底為p型硅襯底。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該堆疊層為介電層。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該堆疊層包括墊氧化物層與氮化物層。

8.一種半導(dǎo)體元件，包括：

具有堆疊層的襯底，該襯底與該堆疊層含有溝槽，該溝槽具有底部和一對側(cè)壁；

外延層，位于該溝槽的側(cè)壁，且位于該堆疊層之下并突出于該堆疊層，其中位于該溝槽的側(cè)壁的外延層作為晶體管的源極/漏極區(qū)域；以及

氧化層，位于該外延層的表面。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該襯底為p型硅襯底。