[發(fā)明專利]SOI襯底CMOS工藝電光調(diào)制器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710179413.0
• 申請(qǐng)日: 2007-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN101458402A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳弘達(dá);黃北舉;董贊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): G02F1/03
• 分類號(hào): G02F1/03
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 周國(guó)城

1.一種SOI襯底CMOS工藝電光調(diào)制器，其特征在于，其中包括：

一個(gè)SOI襯底(11)；

一個(gè)n阱(18)位于SOI襯底(11)中央；

兩個(gè)n+注入?yún)^(qū)(17)位于n阱(18)頂部的兩側(cè)；

兩個(gè)p阱(19)位于SOI襯底(11)的兩側(cè)；

兩個(gè)p+注入?yún)^(qū)(13)位于p阱(19)的頂部；

兩個(gè)淺溝隔離層(12)夾在n阱(18)和p阱(19)之間；

二氧化硅層(14)覆蓋在器件頂部；

金屬層(15)淀積在二氧化硅層(14)上形成金屬電極；

接觸孔(16)將n+注入?yún)^(qū)(17)及p+注入?yún)^(qū)(13)連接到金屬電極上；

一個(gè)光學(xué)干涉儀(21)；

當(dāng)在外電極加反向偏壓時(shí)，n阱和襯底形成的pn結(jié)將出現(xiàn)耗盡區(qū)，改變了脊形波導(dǎo)的載流子分布，由等離子色散效應(yīng)，脊形波導(dǎo)的折射率隨之改變，從而完成對(duì)入射光相位的調(diào)制；最后通過光學(xué)干涉儀完成入射光強(qiáng)度的調(diào)制。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，所述淺溝隔離層形成脊形波導(dǎo)的包層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于，所述調(diào)制器的金屬電極分別制作在脊形波導(dǎo)的外脊和內(nèi)脊上，利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中的接觸孔將金屬電極和n+注入?yún)^(qū)及p+注入?yún)^(qū)相連形成歐姆接觸；為了減少重?fù)诫s歐姆接觸對(duì)光場(chǎng)的吸收以減小損耗，兩個(gè)n+注入?yún)^(qū)被制作在n阱頂層的兩側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于：所述調(diào)制器的光學(xué)干涉儀不采用常用的Y分支馬赫曾德干涉儀，而采用多模耦合干涉儀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于：所述調(diào)制器中的所有層均采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制作。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光調(diào)制器，其特征在于：所述調(diào)制器能夠在SOI襯底標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝線上制作。