[發明專利]立方氮化硼薄膜的p型摻雜方法無效
| 申請號： | 200710178682.5 | 申請日： | 2007-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN101174558A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發明（設計）人： | 鄧金祥;陳光華;何斌;張曉康;陳浩 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H01L21/18 | 分類號： | H01L21/18;H01L21/265;H01L21/24;H01L21/324;H01L21/268;C30B31/22 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100022*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 立方 氮化 薄膜 摻雜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種立方氮化硼薄膜的p型摻雜方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)使用低壓氣相薄膜生長設備襯底上沉積一層本征c-BN薄膜，這層本征BN薄膜：薄膜厚度為200～800nm；立方相含量在40～95％；電導率在10-9～10-11Ω-1cm-1；
(2)選用金屬鈹離子作為p型摻雜劑，離子注入鈹的能量范圍為80～200千電子伏特；離子注入鈹的劑量范圍為5×1015～1×1017ion/cm2；
(3慢速退火：慢速退火溫度為600～900℃；恒溫時間為40～60分鐘；
(4)將經過步驟(3)退火的薄膜再進行激光輻照二次雜質激活工藝：退火溫度為1000～1050℃，退火時間為20～40秒鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
