[發明專利]化學包覆制備賤金屬內電極多層陶瓷片式電容器介質材料有效
| 申請號: | 200710178134.2 | 申請日: | 2007-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN101183610A | 公開(公告)日: | 2008-05-21 |
| 發明(設計)人: | 王曉慧;田之濱;王天;李龍土 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01G4/12 | 分類號: | H01G4/12;H01B3/12;C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 | 代理人: | 李光松 |
| 地址: | 100084北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化學 制備 金屬 電極 多層 陶瓷 電容器 介質 材料 | ||
1.一種化學包覆制備賤金屬內電極多層陶瓷片式電容器介質材料,其特征在于:該材料是通過化學共沉淀將摻雜元素均勻包覆于鈦酸鋇顆粒表面的化學包覆方法制備得到具有較高介電常數的超細晶溫度穩定型賤金屬內電極多層陶瓷電容器介電材料,該材料由鈦酸鋇主料和納米包覆層復合氧化物組成,所述鈦酸鋇BaTiO3主料在配方中所占摩爾分數為90~97mol%;所述納米包覆層復合氧化物的用量占材料總量的3~10mol%。
2.根據權利要求1所述化學包覆制備賤金屬內電極多層陶瓷片式電容器介質材料,其特征在于:所述納米包覆層由下列成分的氧化物復合組成:
w?A+x?B+y?C+z?D
其中A表示為CaTiO3,CaO,BaO,SrO,MgO中的一種以上;
B表示為MnO2,Co2O3,Co3O4,Fe2O3,Y2O3中的一種以上;
C表示包含SiO2,B2O3,Li2O中的一種以上;
D表示稀土氧化物Re2O3,Re為La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一種以上;
w、x、y、z是各類氧化物相對于BaTiO3的摩爾分數,其中w:0.01~2mol%,x:0.01~3mol%,y:0.1~6mol%,z:0~4mol%。
3.一種化學包覆制備賤金屬內電極多層陶瓷片式電容器介質材料的方法,其特征在于:所述制備納米包覆鈦酸鋇粉體的步驟如下:
①將鈦酸鋇粉體以溶劑水、乙醇、丙醇或異丙醇為介質,球磨6h~48h,得到分散良好的鈦酸鋇懸浮液;
②將可溶性的A,B,D類氧化物所對應的金屬硝酸鹽或醋酸鹽按摩爾比稱重,溶解于去離子水中,得到澄清的混合無機鹽溶液;
③按體積比,將硅的醇鹽∶乙醇∶醋酸∶去離子水=1∶(1~15)∶(1~8)∶(5~40)混合均勻,得到澄清穩定的溶液;
④將步驟②的無機溶液與步驟③的溶液分別滴加到鈦酸鋇懸浮液中,其中,步驟②的無機溶液∶步驟③的溶液∶鈦酸鋇懸浮液=1~8∶1~4∶10~50(體積比),強烈攪拌,使混合均勻;
⑤加入氨水溶液,調節pH值至6~11,通過共沉淀反應,使各摻雜元素均勻包覆在鈦酸鋇顆粒表面;
⑥將所得懸浮液烘干;
⑦所得粉體于300℃~600℃在空氣中預燒1~6h,得到所需的包覆鈦酸鋇粉體。
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