[發明專利]化學包覆制備賤金屬內電極多層陶瓷片式電容器介質材料有效
| 申請號: | 200710178134.2 | 申請日: | 2007-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN101183610A | 公開(公告)日: | 2008-05-21 |
| 發明(設計)人: | 王曉慧;田之濱;王天;李龍土 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01G4/12 | 分類號: | H01G4/12;H01B3/12;C04B35/468;C04B35/622 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 化學 制備 金屬 電極 多層 陶瓷 電容器 介質 材料 | ||
技術領域
本發明屬于電子陶瓷電容器材料技術領域,特別涉及一種化學包覆制備賤金屬內電極多層陶瓷片式電容器介質材料。具體涉及用化學包覆法制造以賤金屬(例如鎳)做內電極的超細晶溫度穩定型賤金屬內電極多層陶瓷片式電容器介質材料。
背景技術
多層陶瓷電容器(Multilayer?Ceramic?Capacitors)簡稱MLCC。它是將陶瓷坯體與內電極交替疊層,共燒為一個整體。MLCC特別適合于片式化表面組裝,可大大提高電路組裝密度,縮小整機體積,這一突出的特性使MLCC成為世界上用量最大、發展最快的一種片式化元件。根據國際電子工業協會EIA(ElectronicIndustries?Association)標準,X7R溫度穩定型MLCC是指以25℃的電容值為基準,在溫度從-55℃到+125℃的范圍之內,容溫變化率(TCC)≤±15%,介電損耗(DF)≤2.5%;X5R溫度穩定型MLCC是指以25℃的電容值為基準,在溫度從-55℃到+85℃的范圍之內,容溫變化率≤±15%,介電損耗(DF)≤2.5%。溫度穩定型MLCC按組成分兩大類:一類由含鉛的鐵電體組成,另一類以BaTiO3基非鉛系的鐵電體組成。而后者由于對環境無污染,并且機械強度及可靠性優于前者,因此非鉛系BaTiO3基溫度穩定型MLCC具有廣闊的應用前景。
基于降低成本的考慮,發展Ni、Cu等賤金屬及其合金代替Ag、Pd等貴金屬作為內電極材料是MLCC的一個重要發展方向。但是Ni、Cu等金屬在空氣中燒結會發生氧化,失去作為內電極的作用,因此需要使用中性或者還原性氣氛。同時為保證鈦酸鋇基介電陶瓷在中性或還原氣氛下燒結后不成為半導體,而且有足夠的絕緣電阻和優良的介電性能,需加入Mg、Mn等受主元素進行調節。目前,在日本專利JP-A-63-103861中,陶瓷材料的基本組成為BaTiO3-MnO-MgO-稀土氧化物。這個組成的絕緣電阻和介電溫度系數受鈦酸鋇主料的晶粒大小影響,因此很難通過控制材料組成來獲得溫度穩定的介電性能。在美國專利US-005403797A中,陶瓷材料的基本組成是BaTiO3-Y2O3-MgO-V2O5。該組成基本滿足X7R性能要求,室溫介電常數為2500以上,但是燒結溫度過高,大于1350℃;介電溫度系數較大,在-55℃接近-15%;損耗較大,基本都高于2.0%。因此不適合用于大規模生產。在德國專利中DE-19918091A1,陶瓷材料的基本組成是BaTiO3-MgO-MnO-V2O5-Al2O3-Ho2O3-BaCO3-SrO-CaO-CoO-ZrO2。該組成滿足X7R性能要求,室溫介電常數可在2000~4000進行調節,但是燒結溫度過高,大于1300℃,介電溫度系數較大,在-55℃或125℃接近-15%,不適合用于大規模生產。在美國專利US-20040229746A1中,陶瓷材料基本組成為BaTiO3-Mn3O4-Y2O3-Ho2O3-CaCO3-SiO2-B2O3-Al2O3-MgO-CaO,可在1200℃~1300℃進行燒結,但陶瓷晶粒大于500nm,不利于介質層的減薄。
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