[發(fā)明專利]高純度二氧化硅與冶金級多晶硅的制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710175359.2 | 申請日： | 2007-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN101397138A | 公開（公告）日： | 2009-04-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丁原杰;曾忠璿 | 申請（專利權(quán)）人： | 丁原杰 |
| 主分類號： | C01B33/12 | 分類號： | C01B33/12;C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 黃 挺 |
| 地址： | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 純度 二氧化硅 冶金 多晶 制法 | ||
1.一種冶金級多晶硅的制法，其特征在于，其步驟主要包含有：?
a)將二氧化硅均勻溶解于氟化銨NH4F水溶液中并以預定溫度加熱；?
b)加入預定溫度的熱水在溶液中予以攪拌，并過濾固體殘留物；?
c)將過濾后的溶液降溫至室溫，可獲致氟化硅銨鹽(NH4)2SiF6晶體；?
d)將氟化硅銨鹽置于容器內(nèi)并通入氫/氬H2/Ar混合氣；?
e)加熱該容器，使氟化硅銨鹽、氫/氬混合氣產(chǎn)生還原反應(yīng)；?
f)停止加熱，使該容器自然冷卻，待其冷卻后停止通入氫/氬；?
g)最后，即可在該容器內(nèi)產(chǎn)生冶金級多晶硅粉末。?
2.如權(quán)利要求1所述冶金級多晶硅的制法，其特征在于，所述a)步驟中，預定溫度設(shè)為140至160℃之間，以140至160℃間的溫度加熱溶液，加熱之際并同時將溶液攪拌使二氧化硅可均勻溶解于氟化銨水溶液中。?
3.如權(quán)利要求1所述冶金級多晶硅的制法，其特征在于，所述b)步驟中，熱水的預定溫度為80℃以上。?
4.如權(quán)利要求3所述冶金級多晶硅的制法，其特征在于，獲致氟化硅銨鹽(NH4)2SiF6最佳產(chǎn)率的條件為：反應(yīng)溫度140℃、氟化銨/二氧化硅的摩爾比在6以上。?
5.如權(quán)利要求1所述冶金級多晶硅的制法，其特征在于，所述b)步驟中，固體殘留物是原二氧化硅中的非水溶性雜質(zhì)。?
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