[發明專利]多晶硅硅化物電熔絲器件有效
| 申請號： | 200710171606.1 | 申請日： | 2007-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN101170099A | 公開（公告）日： | 2008-04-30 |
| 發明（設計）人： | 高文玉;韋敏俠;李睿;王慶東 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/58 | 分類號： | H01L23/58;H01L23/62;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 硅硅化物電熔絲 器件 | ||
1.一種多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于包括：
襯底，
設于襯底上的一半導體材料層，該半導體材料層包括兩端摻雜種類相同的引出區和中部的不摻雜區或摻雜濃度低于兩端引出區的中間區；該中間區內設有一個或多個熔斷區；
設于所述半導體材料層上的金屬硅化物層。
2.根據權利要求1所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：所述金屬硅化物層上還設有一介質層，所述介質層在位于兩端的所述引出區處分別設有一個或多個慣穿至金屬硅化物層的接觸孔。
3.根據權利要求2所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：所述接觸孔位于所述引出區遠離所述熔斷區一側。
4.根據權利要求1所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：所述半導體材料層為多晶硅、非晶硅或者鍺硅合金材料中的一種。
5.根據權利要求1所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：至少一所述引出區靠近接觸孔一側的寬度大于靠近所述熔斷區一側的寬度。
6.根據權利要求1所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：所述熔斷區與該中間區重合。
7.根據權利要求1所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：至少一所述引出區包括一細長的引出端，所述引出區通過該引出端與所述中間區鄰接。
8.根據權利要求7所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：所述引出端為階梯形。
9.根據權利要求1所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：所述熔斷區的寬度小于該中間區的最大寬度。
10.根據權利要求1所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：所述熔斷區為多個，該多個熔斷區串接成一長條形結構。
11.根據權利要求1所述的多晶硅硅化物電熔絲器件，其特征在于：所述熔斷區為一個或多個串接的彎曲或彎折形結構。
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