[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列面板及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710167911.3
• 申請(qǐng)日: 2007-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN101320739A
• 公開（公告）日: 2008-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙容奭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張波;陶鳳波

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種薄膜晶體管(TFT)陣列面板，更具體地涉及一種用于液晶顯示器(LCD)的薄膜晶體管陣列面板。

背景技術(shù)

LCD是一種最常用的平板顯示器。LCD包括提供有場(chǎng)發(fā)生電極的兩個(gè)面板和布置于兩個(gè)面板之間的液晶(LC)層。場(chǎng)發(fā)生電極包括多個(gè)像素電極和公共電極。電壓施加到場(chǎng)發(fā)生電極上以在LC層中產(chǎn)生電場(chǎng)。電場(chǎng)決定LC層中的LC分子的配向以調(diào)節(jié)LC層中的入射光的偏振。具有調(diào)節(jié)的偏振的入射光由偏振膜攔截或允許通過偏振膜，從而顯示圖像。

根據(jù)LCD使用的光源，可以將LCD分類為透射的或反射的。透射LCD的光源是背光。反射LCD的光源是外部光。反射型LCD可以實(shí)施于小或中尺寸的顯示裝置中。

半透射LCD根據(jù)環(huán)境而使用背光和外部光作為光源，并也可以實(shí)施于小或中尺寸的顯示裝置中。

然而，在LCD中顯示區(qū)域的邊緣附近LC分子以無序的方式排列，因此在顯示的圖像中引起向錯(cuò)(disclination)。向錯(cuò)可以通過增加LCD中光阻擋層(light?blocking?layer)的寬度得到改善，但是這也減少了LCD中像素的開口率(開口率)。因此，需要一種能減少向錯(cuò)而不降低LCD中像素的開口率的LCD。

發(fā)明內(nèi)容

在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，提供了薄膜晶體管陣列面板。薄膜晶體管陣列面板包括：絕緣基板，形成于基板上的多個(gè)柵極線，多個(gè)數(shù)據(jù)線，和絕緣層。每個(gè)柵極線包括多個(gè)柵電極。數(shù)據(jù)線與柵極線交叉且它們之間絕緣。每個(gè)數(shù)據(jù)線包括多個(gè)源電極。多個(gè)漏電極面對(duì)源電極。絕緣層形成于柵極線、數(shù)據(jù)線和漏電極上。多個(gè)像素電極形成于絕緣層上并連接至漏電極。絕緣層在沒有被像素電極覆蓋的位置處具有布置于絕緣層內(nèi)的開口或溝槽。

絕緣層可以由有機(jī)絕緣材料制成。薄膜晶體管陣列面板還包括布置于相鄰的像素電極之間并與開口或溝槽重疊的光阻擋層。光阻擋層可以由與柵極線相同的層制成而沒有與柵極線重疊。光阻擋層可與數(shù)據(jù)線重疊。薄膜晶體管陣列面板還包括形成于絕緣層下面并覆蓋柵極線、數(shù)據(jù)線和漏電極的鈍化層。鈍化層和絕緣層具有多個(gè)接觸孔以連接像素電極至漏電極。像素電極可以包括由透明導(dǎo)電材料制成的透明電極和由反射材料制成的反射電極。絕緣層可以有凹凸(embossed)表面。每個(gè)像素電極可以包括由透明電極占據(jù)的第一區(qū)域和由透明電極和反射電極占據(jù)的第二區(qū)域。

根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例，提供了制造TFT陣列面板的方法。該方法包括以下步驟：在絕緣基板上形成第一導(dǎo)電層并從導(dǎo)電層構(gòu)圖柵極線；在第一導(dǎo)電層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成本征層；在本征層上形成非本征層；在非本征層上形成第二導(dǎo)電層并從第二導(dǎo)電層構(gòu)圖數(shù)據(jù)線；在第二導(dǎo)電層上形成絕緣層；在絕緣層上形成像素電極；以及通過除去沒有被像素電極覆蓋的絕緣層的部分形成溝槽。

該方法可包括：在形成所述絕緣層之前在所述第二導(dǎo)電層上形成鈍化層，在相鄰的像素電極之間形成光阻擋層并與溝槽重疊的步驟，從第一導(dǎo)電層構(gòu)圖柵電極和存儲(chǔ)電極的步驟，從非本征層構(gòu)圖非本征半導(dǎo)體條和從本征層構(gòu)圖本征半導(dǎo)體條的步驟，從第二導(dǎo)電層構(gòu)圖源電極和漏電極的步驟，或在絕緣層上凹凸壓印圖案的步驟。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的LCD的布局圖。

圖2，圖3和圖4是圖1所示的LCD沿線II-II，III-III和IV-IV的剖面圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例用于LCD的薄膜晶體管陣列面板的布局圖。

圖6是圖5中所示的薄膜晶體管陣列面板沿線VI-VI的剖面圖。

圖7，圖9和圖11和圖13是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例圖5和圖6中所示的TFT陣列面板在其制造方法的步驟中的布局圖。

圖8是圖7中所示的TFT陣列面板沿線VIII-VIII的剖面圖。

圖10是圖9中所示的TFT陣列面板沿線X-X的剖面圖。

圖12是圖11中所示的TFT陣列面板沿線XII-XII的剖面圖。

圖14是圖13中所示的TFT陣列面板沿線XIV-XIV的剖面圖。

圖15是在絕緣層上添加像素電極之后圖13中所示的TFT陣列面板沿線XIV-XIV的剖面圖。

圖16是示出在常規(guī)LCD中產(chǎn)生的漏光的圖。

圖17是示出根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的LCD中產(chǎn)生的漏光的圖。

具體實(shí)施方式

此后，將參考附圖描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。然而，此發(fā)明可以以不同的方式體現(xiàn)并不應(yīng)解釋為限制于這里闡述的實(shí)施例。