[發(fā)明專利]晶片加工方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710167557.4
• 申請(qǐng)日: 2007-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101174547A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 根岸克治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社迪思科
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/78;H01L21/301;H01L21/66;B28D5/00
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黨曉林

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶片加工方法。

背景技術(shù)

通過(guò)分割預(yù)定線劃分形成有IC(Integrated?Circuit：集成電路)、LSI(large?scale?integration：大規(guī)模集成電路)等多個(gè)元件的晶片，被切割裝置等切削裝置分割為一個(gè)個(gè)元件，用于移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備。

切削裝置構(gòu)成為具有：保持晶片的吸盤(pán)工作臺(tái)；安裝有切削刀具的切削部，該切削刀具對(duì)保持于吸盤(pán)工作臺(tái)上的晶片進(jìn)行切削；使吸盤(pán)工作臺(tái)在X軸方向上進(jìn)行加工進(jìn)給的加工進(jìn)給部；使切削部在與X軸方向正交的Y軸方向上進(jìn)行分度進(jìn)給的分度進(jìn)給部；載置有容納多個(gè)晶片的盒的盒臺(tái)；從盒中取出晶片的取出部；暫時(shí)放置所取出的晶片的暫時(shí)放置臺(tái)；將暫時(shí)放置在暫時(shí)放置臺(tái)上的晶片輸送到吸盤(pán)工作臺(tái)的輸送部；以及對(duì)保持于吸盤(pán)工作臺(tái)上的晶片進(jìn)行攝像來(lái)檢測(cè)應(yīng)切削的區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)部，該切削裝置可以將晶片高效地分割為一個(gè)個(gè)元件。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)昭62-53804號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本專利第3765265號(hào)公報(bào)

在這種切削裝置中，在切削了晶片之后，為確認(rèn)切削槽的寬度的狀態(tài)、缺陷的狀態(tài)等的切削狀態(tài)，將保持在吸盤(pán)工作臺(tái)上的晶片定位在對(duì)準(zhǔn)部的正下方來(lái)進(jìn)行檢查。其結(jié)果是，在到對(duì)切削完的晶片進(jìn)行的檢查結(jié)束為止的期間內(nèi)，無(wú)法在吸盤(pán)工作臺(tái)上保持新的晶片，具有吞吐量低、生產(chǎn)率差的問(wèn)題。

而且根據(jù)專利文獻(xiàn)1、2等，提出有如下的切削裝置：具有兩個(gè)吸盤(pán)工作臺(tái)，在一個(gè)吸盤(pán)工作臺(tái)上對(duì)晶片執(zhí)行切削動(dòng)作，并行地對(duì)保持于另一個(gè)吸盤(pán)工作臺(tái)上的切削前的晶片執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)作業(yè)，但沒(méi)有提及關(guān)于對(duì)切削結(jié)束了的晶片進(jìn)行檢查處理的方法，并不能解決上述不良情況。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種晶片加工方法，使得即使對(duì)結(jié)束了切削的晶片的切削狀態(tài)進(jìn)行檢查也不會(huì)降低生產(chǎn)率。

為了解決上述課題，達(dá)成目的，本發(fā)明的晶片加工方法中使用切削裝置，該切削裝置具有：保持晶片的吸盤(pán)工作臺(tái)；安裝有切削刀具的切削部，該切削刀具對(duì)保持于該吸盤(pán)工作臺(tái)上的晶片進(jìn)行切削；使上述吸盤(pán)工作臺(tái)在X軸方向上進(jìn)行加工進(jìn)給的加工進(jìn)給部；使上述切削部在與X軸方向正交的Y軸方向上進(jìn)行分度進(jìn)給的分度進(jìn)給部；載置有容納有多個(gè)晶片的盒的盒臺(tái)；從上述盒中取出晶片的取出部；暫時(shí)放置所取出的晶片的暫時(shí)放置臺(tái)；將暫時(shí)放置在該暫時(shí)放置臺(tái)上的晶片輸送到上述吸盤(pán)工作臺(tái)的輸送部；以及對(duì)保持于上述吸盤(pán)工作臺(tái)上的晶片進(jìn)行攝像來(lái)檢測(cè)應(yīng)切削的區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)部，上述吸盤(pán)工作臺(tái)由彼此相鄰配設(shè)的第1吸盤(pán)工作臺(tái)和第2吸盤(pán)工作臺(tái)構(gòu)成，上述加工進(jìn)給部由下列部分構(gòu)成：使上述第1吸盤(pán)工作臺(tái)進(jìn)行加工進(jìn)給的第1加工進(jìn)給部；以及使上述第2吸盤(pán)工作臺(tái)進(jìn)行加工進(jìn)給的第2加工進(jìn)給部，該晶片加工方法的特征在于，其具有如下工序，晶片保持工序：通過(guò)上述輸送部，將從上述盒取出到上述暫時(shí)放置臺(tái)上的晶片，輸送到上述第1吸盤(pán)工作臺(tái)和上述第2吸盤(pán)工作臺(tái)上進(jìn)行保持；對(duì)準(zhǔn)工序：將保持在上述第1吸盤(pán)工作臺(tái)和上述第2吸盤(pán)工作臺(tái)上的晶片，定位在上述對(duì)準(zhǔn)部的正下方，檢測(cè)應(yīng)切削的區(qū)域；第1切削工序：使上述切削部的上述切削刀具定位在保持于上述第1吸盤(pán)工作臺(tái)或者上述第2吸盤(pán)工作臺(tái)且上述對(duì)準(zhǔn)工序已執(zhí)行完的晶片上，對(duì)晶片進(jìn)行切削；第2切削工序：當(dāng)該第1切削工序結(jié)束之后，將上述切削部的上述切削刀具定位在保持于上述第1吸盤(pán)工作臺(tái)或者上述第2吸盤(pán)工作臺(tái)且上述對(duì)準(zhǔn)工序已執(zhí)行完但沒(méi)有被切削的晶片上，對(duì)晶片進(jìn)行切削；以及檢查工序：當(dāng)上述第1切削工序結(jié)束之后，在上述第2切削工序進(jìn)行之中，將在上述第1切削工序中切削完并保持于上述第1吸盤(pán)工作臺(tái)或者上述第2吸盤(pán)工作臺(tái)上的晶片定位在上述對(duì)準(zhǔn)部的正下方來(lái)檢查切削狀態(tài)。

而且，根據(jù)上述發(fā)明，本發(fā)明的晶片加工方法的特征在于，在上述第2切削工序進(jìn)行之中，對(duì)上述檢查工序結(jié)束了的上述第1吸盤(pán)工作臺(tái)或者上述第2吸盤(pán)工作臺(tái)執(zhí)行接下來(lái)的上述晶片保持工序和上述對(duì)準(zhǔn)工序。

根據(jù)本發(fā)明的晶片加工方法，由于吸盤(pán)工作臺(tái)有兩個(gè)，因而在對(duì)保持于另一個(gè)吸盤(pán)工作臺(tái)上的晶片進(jìn)行切削的過(guò)程中，執(zhí)行對(duì)切削結(jié)束了的晶片的切割槽的寬度狀態(tài)和缺陷狀態(tài)等的切削狀態(tài)進(jìn)行檢查的檢查工序，從而在不用犧牲吞吐量就能檢查晶片的切削狀態(tài)，可以獲得提高經(jīng)過(guò)了切削加工的晶片的生產(chǎn)率的效果。

而且根據(jù)本發(fā)明的晶片加工方法，由于在對(duì)保持于另一個(gè)吸盤(pán)工作臺(tái)上的晶片進(jìn)行切削的過(guò)程中，不僅可以執(zhí)行檢查工序，還可以執(zhí)行檢查工序結(jié)束之后的接下來(lái)的晶片保持工序和對(duì)準(zhǔn)工序，因而可以最大限度利用具有兩個(gè)吸盤(pán)工作臺(tái)的情況，能獲得提高晶片生產(chǎn)率的效果。