[發(fā)明專利]電路板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710167234.5 | 申請日: | 2007-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN101150931A | 公開(公告)日: | 2008-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王建皓 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/46 | 分類號: | H05K3/46;H05K1/03 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路板 及其 制作方法 | ||
1.一種制作電路板的方法,包括下列步驟:于一基板表面形成一第一線路層;形成一絕緣層于該第一線路層的外表面上;及形成一第二線路層于該絕緣層上,其特征在于:所述絕緣層是通過進行一電泳沉積程序而形成于該第一線路層的外表面上;而所述第二線路層還形成于該基板上。
2.如權(quán)利要求1所述的制作電路板的方法,其特征在于:所述基板表面包括一上表面及一下表面,該第一線路層形成于所述上表面及所述下表面上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的制作電路板的方法,其特征在于:所述制作該第一線路層于該基板上的步驟,更包括下列步驟:形成一金屬層于該基板表面;形成一光阻圖案于該金屬層上;蝕刻該金屬層;及移除該光阻圖案。
4.如權(quán)利要求1或2所述的制作電路板的方法,其特征在于:所述進行電泳沉積程序而在該第一線路層外表面形成該絕緣層的步驟,更包括下列步驟:沉積高分子微胞于該第一線路層外表面;及進行一熱處理程序,使該高分子微胞聚合成該絕緣層;其中該高分子微胞包含硅氧無機粒子及高分子前驅(qū)物,該高分子前驅(qū)物是從聚醯亞胺樹脂及其衍生物、環(huán)氧樹脂及其衍生物、含鹵素的高分子樹脂、含磷、硅、硫的耐燃性高分子樹脂的組合中選取的;該熱處理程序至少包含脫水及環(huán)化的過程。
5.如權(quán)利要求1或2所述的制作電路板的方法,其特征在于:該第二線路層與該第一線路層的分布型態(tài)為交錯式的針織狀分布。
6.如權(quán)利要求1或2所述的制作電路板的方法,其特征在于:該第二線路層與該第一線路層的分布型態(tài)為重疊分布。
7.如權(quán)利要求1或2所述的制作電路板的方法,其特征在于:所述在制作該第二線路層于該絕緣層與該基板上的步驟之后,更包括對該基板進行一壓合程序,以在該基板上、下兩側(cè)面各壓合一介電層。
8.如權(quán)利要求7所述的制作電路板的方法,其特征在于:該介電層的材質(zhì)為絕緣的樹脂材料;該基板的材質(zhì)是從一三氮樹脂、環(huán)氧玻纖板的組合中選取的。
9.如權(quán)利要求1或2所述的制作電路板的方法,其特征在于:所述在制作該第二線路層于該絕緣層與該基板上的步驟之后,更包括形成一焊罩層于該第二線路層上;及進行一曝光顯影步驟,曝露出部份該第二線路層以形成多數(shù)個對外接點。
10.一種電路板,包含:一基板、一第一線路層、一絕緣層、一第二線路層、一介電層及若干個對外接點,其中該第一線路層是形成于該基板的一表面;該絕緣層是以電泳沉積程序形成于該第一線路層外表面;該介電層是形成于該第二線路層上;這些對外接點是形成于該介電層上,以曝露出部分該第二線路層;其特征在于:該第二線路層是形成于該絕緣層與該基板上。
11.如權(quán)利要求10所述的電路板,其特征在于:該第二線路層與該第一線路層的分布型態(tài)為交錯式的針織狀分布。
12.如權(quán)利要求10所述的電路板,其特征在于:該第二線路層與該第一線路層的分布型態(tài)為重疊分布。
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