[發(fā)明專利]互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710167205.9
• 申請日: 2007-11-01
• 公開（公告）號: CN101188248A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱慧瓏
• 申請（專利權(quán)）人: 國際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 張波

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體基板，包括含有至少一個V形溝槽的有源區(qū)；以及

柵電極，非平行地橫跨至少一個V形溝槽。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含絕緣體上半導(dǎo)體基板。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個V形溝槽包括場效應(yīng)晶體管的有源區(qū)的溝道區(qū)和源/漏區(qū)。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中：

所述V形溝槽包含100、110和111晶體學(xué)取向之一；以及

所述柵電極包含p型場效應(yīng)晶體管和n型場效應(yīng)晶體管之一。

5.一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

第一器件，具有第一極性并位于半導(dǎo)體基板的第一有源區(qū)內(nèi)，第一有源區(qū)具有平表面，該平表面具有第一晶體學(xué)取向；以及

第二器件，具有不同于所述第一極性的第二極性并位于所述半導(dǎo)體基板的第二有源區(qū)內(nèi)，第二有源區(qū)具有不同于且不存在第一晶體學(xué)取向的第二晶體學(xué)取向的非平的表面。

6.如權(quán)利要求5所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中第一有源區(qū)和第二有源區(qū)包括溝道區(qū)和源/漏區(qū)。

7.如權(quán)利要求5所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中所述非平的表面包含多個V形溝槽。

8.如權(quán)利要求5所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中第二有源區(qū)具有單一厚度。

9.如權(quán)利要求8所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包含至少一個插入第二有源區(qū)和所述半導(dǎo)體基板包含的掩埋的介電層之間的一個空洞。

10.如權(quán)利要求5所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中：

第一器件是n型場效應(yīng)晶體管且第一晶體學(xué)取向是100晶體學(xué)取向；

第二器件是p型場效應(yīng)晶體管且第二晶體學(xué)取向是111晶體學(xué)取向。

11.一種互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

第一器件，具有第一極性和位于半導(dǎo)體基板的第一有源區(qū)上的第一柵電極，第一有源區(qū)具有平表面，該平表面具有第一晶體學(xué)取向；以及

第二器件，具有不同于所述第一極性的第二極性和位于所述半導(dǎo)體基板的第二有源區(qū)上的第二柵極，第二有源區(qū)具有至少一個具有不同于且不存在第一晶體學(xué)取向的第二晶體學(xué)取向的V形溝槽的非平的表面，其中第二柵極不平行于所述至少一個V形溝槽。

12.如權(quán)利要求11所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中第一有源區(qū)和第二有源區(qū)包括溝道區(qū)和源/漏區(qū)。

13.如權(quán)利要求11所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中：

所述非平的表面包含多個平行的V形溝槽；以及

第二有源區(qū)具有單一厚度。

14.如權(quán)利要求11所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包含至少一個插入第二有源區(qū)和所述半導(dǎo)體基板包含的掩埋的介電層之間的一個空洞。

15.如權(quán)利要求11所述的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中：

第一器件是n型場效應(yīng)晶體管且第一晶體學(xué)取向是100晶體學(xué)取向；以及

第二器件是p型場效應(yīng)晶體管且第二晶體學(xué)取向是111晶體學(xué)取向。

16.一種制作互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包含：

在半導(dǎo)體基板內(nèi)形成：

第一有源區(qū)，具有第一極性并具有第一晶體學(xué)取向的平坦的表面；以及

第二有源區(qū)，具有不同于第一極性的第二極性并具有不同于且不存在第一晶體學(xué)取向的第二晶體學(xué)取向的非平的表面；以及??

在第一有源區(qū)內(nèi)形成第一器件并在第二有源區(qū)內(nèi)形成第二器件。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)形成第一有源區(qū)和第二有源區(qū)使用絕緣體上半導(dǎo)體基板和體半導(dǎo)體基板之一。

18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中具有第二晶體學(xué)取向的非平的表面的第二有源區(qū)使用晶體學(xué)選擇蝕刻劑以提供第二晶體學(xué)取向。

19.如權(quán)利要求16所述的方法，還包含在第二有源區(qū)下形成至少一個空洞。

20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成第二器件包括形成不平行于所述非平的表面內(nèi)的構(gòu)形的第二柵電極。