[發(fā)明專利]主動矩陣型液晶顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710167056.6 | 申請日： | 2007-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN101174068A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 小野木智英;瀨川泰生 | 申請（專利權(quán)）人： | 愛普生映像元器件有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/133 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 主動 矩陣 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，具有：
像素晶體管；
配線層，連接于前述像素晶體管；
第一絕緣層，設(shè)于前述像素晶體管及前述配線層的上層；
下部電極層，設(shè)于前述第一絕緣層的上層，且被分配給共用電極層或像素電極層的任一者；
第二絕緣層，設(shè)于前述下部電極層的上層；以及
上部電極層，設(shè)于前述第二絕緣層的上層，且被分配給前述共用電極層或前述像素電極層的任一者；
其中，令顯示像素為由多個次像素形成的近似正方形形狀，令前述顯示像素在縱方向及橫方向的配置間距分別為每25.381mm有P個，令前述像素晶體管的通道寬度為W，令前述像素晶體管的每單位通道寬度的導通電阻為ρON，令前述像素晶體管的柵極線與漏極線同時導通的時間為τON，令前述第二絕緣層的相對介電系數(shù)為ε，令真空介電系數(shù)為ε0，令修正參數(shù)為k，則前述第二絕緣層的膜厚t為：
t＜{(ε0ε/W)×[(0.025381/P)2/6]}/(100×10-9)
及t＞{(ε0ε/W)×[(0.025381/P)2/6]×k×ρON}/τON
并且將電壓施加于前述上部電極層與下部電極層之間而驅(qū)動液晶分子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述第一絕緣層采用絕緣性透明樹脂構(gòu)成，前述第二絕緣層采用通過低溫處理所形成的氮化硅構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述上部電極層具有封閉形狀的狹縫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述上部電極層具有梳狀形狀的開口部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，通過前述下部電極層、設(shè)于前述下部電極層的上層的第二絕緣層、與設(shè)于前述第二絕緣層的上層的上部電極層來形成電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述上部電極層為共用電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述上部電極層為像素電極層。
8.一種主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，具有：
像素晶體管；
配線層，連接于前述像素晶體管；
第一絕緣層，設(shè)于前述像素晶體管及前述配線層的上層；
下部電極層，設(shè)于前述第一絕緣層的上層，且被分配給共用電極層或像素電極層的任一者；
第二絕緣層，設(shè)于前述下部電極層的上層；以及
上部電極層，設(shè)于前述第二絕緣層的上層，且被分配給前述共用電極層或前述像素電極層的任一者；
其中，令顯示像素為由多個次像素形成的近似正方形形狀，令前述顯示像素在縱方向及橫方向的配置間距分別為每25.381mm有P個，則當P為100以上400以下時，在同時滿足：針對前述像素晶體管的像素保持電容超過200fF的第一條件、以及相對于前述像素晶體管的漏極線的信號線電容超過前述像素保持電容的10倍的第二條件的條件下，前述第二絕緣層的膜厚t的范圍為90nm以上2400nm以下；
并且將電壓施加于前述上部電極層與下部電極層之間而驅(qū)動液晶分子。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述第一絕緣層采用絕緣性透明樹脂構(gòu)成，前述第二絕緣層采用低溫處理所形成的氮化硅構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述上部電極層具有封閉形狀的狹縫。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述上部電極層具有梳狀形狀的開口部。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述像素保持電容是由前述下部電極層、設(shè)于前述下部電極層的上層的第二絕緣層、與設(shè)于前述第二絕緣層的上層的上部電極層所形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述上部電極層為共用電極層。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的主動矩陣型液晶顯示裝置，其特征在于，前述上部電極層為像素電極層。
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