[發明專利]主動矩陣型液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 200710167056.6
• 申請日: 2007-10-31
• 公開（公告）號: CN101174068A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 小野木智英;瀨川泰生
• 申請（專利權）人: 愛普生映像元器件有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 戈泊

技術領域

本發明涉及一種主動矩陣型液晶顯示裝置，尤其涉及一種主動矩陣型液晶顯示裝置，其針對通過絕緣層而形成在同一基板上的上部電極層與下部電極層，將其中任一者分配給共用電極層，將另外一者分配給像素電極層，在前述上部電極層以彼此平行的方式形成讓電場通過的多個開口部，且將電壓施加于前述上部電極層與前述下部電極層之間而驅動液晶分子。

背景技術

以主動矩陣型液晶顯示裝置的顯示方式而言，以往廣泛使用TN(Twisted?Nematic，扭轉向列型)方式，但該方式在顯示原理上、視角上均有所限制。以解決該情況的方法而言，已知有一種方式在同一基板上形成像素電極與共同電極，在該像素電極與共同電極之間施加電壓，而產生與基板大致平行的電場，且在大致與基板面呈平行的面內驅動液晶分子的橫電場方式。

關于橫電場方式，已知有IPS(In?Plane?Switching，平面切換)方式、及FFS(Fringe?Field?Switch，邊緣場切換)方式。在IPS方式中，將梳狀像素電極與梳狀共同電極組合配置。在FFS方式中，則涉及到通過絕緣層所形成的上部電極層與下部電極層，將其中任一者分配給共用電極層，將另外一者分配給像素電極層，在上部電極層形成例如狹縫(slit)等作為讓電場通過的開口。

以上部電極層與下部電極層之間的絕緣層而言，在專利文件1中已揭示當由包夾絕緣膜的上下兩層ITO構成像素電極與共同信號電極時，作為上下ITO之間的絕緣層，有利用TFT的表面保護絕緣層的一層所構成的例子、以及利用TFT的柵極絕緣膜所構成的例子。

專利文件1：日本特開2001-183685號公報

發明內容

在主動矩陣型液晶顯示裝置中，為了抑制在驅動液晶時的像素電位變化而設置保持電容。若為FFS方式時，可利用上部電極層與下部電極層之間的絕緣膜，將形成在上部電極層與下部電極層之間的重疊部分的電容作為保持電容使用。但是，當將形成在上部電極層與下部電極層的重疊部分的電容作為保持電容使用時，保持電容的大小會取決于液晶顯示裝置中的像素密度而改變。例如，當像素密度變大，1像素在平面上的面積變小時，保持電容會變小，相反地，當像素密度變小時，1像素在平面上的面積會變大而使保持電容會變大。

為防止該情況，例如考慮將上部電極層與下部電極層之間的絕緣膜的膜厚根據像素密度而改變。但是，當將作為上述專利文件1所述的例之一的TFT的柵極絕緣膜作為上部電極層與下部電極層之間的絕緣膜使用時，由于TFT的柵極絕緣膜的膜厚為TFT特性上的重要參數，因此并無法簡單變更。此外，作為另一例而述的TFT的表面保護絕緣層若過薄時，恐有影響可靠性的問題。除此以外，雖考慮利用設在TFT的表面保護絕緣層上的平坦化絕緣膜，但由于其是由丙烯酸膜等所形成，因此膜質不太好。

如上所示，采用在現有技術的主動矩陣型液晶顯示裝置的構造的絕緣膜，在FFS方式中，沒有適于用在形成與像素密度較大范圍相對應的保持電容。因此，考慮形成在平坦化絕緣膜的上層依序形成下部電極層、絕緣膜層、上部電極層的構造，且使用該絕緣膜而形成保持電容。若將該構造稱為覆蓋層(over?layer)構造時，必須謀求覆蓋層構造中的保持電容最適化，且必須謀求提升FFS方式的顯示質量。

本發明的目的在提供一種使用覆蓋層構造來形成保持電容，且可通過保持電容的最適化來達成顯示質量的提升的FFS方式的主動矩陣型液晶顯示裝置。

本發明中，關于FFS方式的主動矩陣型液晶顯示裝置，基于考慮可使用覆蓋層構造來形成保持電容時的用于像素電位保持的條件、以及抑制信號線的電位變化的影響的條件，來求取用于供最適顯示質量的條件。用以實現其結果的裝置如下所示。