[發明專利]具有精細接觸孔的半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 200710166864.0
• 申請日: 2007-10-23
• 公開（公告）號: CN101174579A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 權城鉉;沈載煌;郭東華;金周泳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 黃啟行;穆德駿

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

在半導體襯底上形成隔離層，所述隔離層限定所述半導體襯底內的有源區；

在所述半導體襯底上形成層間電介質層；

在所述層間電介質層上形成第一模塑圖案；

在所述層間電介質層上形成第二模塑圖案，所述第二模塑圖案定位于所述第一模塑圖案之間，并與所述第一模塑圖案間隔開；

形成掩模圖案，該掩模圖案包圍所述第一模塑圖案的側壁以及所述第二模塑圖案的側壁；

去除所述第一模塑圖案和所述第二模塑圖案，以在所述掩模圖案內形成開口；以及

通過利用所述掩模圖案作為蝕刻掩模來蝕刻所述層間電介質層，來形成接觸孔。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一模塑圖案和所述第二模塑圖案包括：

在所述層間電介質層上形成第一模塑線；

在所述層間電介質層上形成第二模塑線，所述第二模塑線定位于所述第一模塑線之間，并與所述第一模塑線間隔開；

對所述第一模塑線進行構圖，以形成第一模塑圖案；以及

對所述第二模塑線進行構圖，以形成第二模塑圖案。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一模塑線中一個的至少一部分基本上與所述第二模塑線中一個的至少一部分共面。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一模塑圖案中一個的寬度基本上與所述第二模塑圖案中一個的寬度相同。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，當從俯視角度觀察時，所述第一模塑圖案中的至少一個和所述第二模塑圖案中的至少一個具有主軸和副軸。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述有源區沿著橫跨所述半導體襯底的縱向方向延伸，并且，所述第一模塑圖案中的至少一個的主軸與所述第二模塑圖案中的至少一個的主軸沿著與所述縱向方向基本上相同的方向延伸。

7.根據權利要求2所述的方法，還包括，在形成所述第一模塑線之前，在所述層間電介質層上形成緩沖層。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：

在所述緩沖層之上形成所述第一模塑線，使得部分所述緩沖層鄰近所述第一模塑線中的至少一個的相對側；以及

在形成所述第一模塑線之后，在與所述第一模塑線中的至少一個的相對側鄰近的所述緩沖層的每個部分內，形成凹進區。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述第二模塑線包括：

在所述第一模塑線之上且在每個凹進區之內，保形地形成分隔層；

在所述分隔層上形成模塑層；以及

對所述模塑層進行構圖，使得所述第二模塑線中的至少一個的頂部表面基本上與所述第一模塑線中的至少一個的頂部表面共面。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述第一模塑圖案和所述第二模塑圖案包括：

在所述分隔層和所述第二模塑線上形成光致抗蝕劑圖案，所述光致抗蝕劑圖案橫跨于所述第一模塑線和所述第二模塑線之上；

利用所述光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，來蝕刻所述第一模塑線上方的部分所述分隔層；

利用所述光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模，來蝕刻部分所述第一模塑線和部分所述第二模塑線；

去除所述光致抗蝕劑圖案；以及

利用所述第一模塑圖案和所述第二模塑圖案作為蝕刻掩模，來蝕刻保留在所述第一模塑線和所述第二模塑線之間的部分所述分隔層；

利用所述第一模塑圖案和所述第二模塑圖案作為蝕刻掩模，來蝕刻所述凹進區之內露出的部分所述緩沖層。

11.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述第二模塑線包括：

在所述第一模塑線之上，形成分隔層；

在所述分隔層上，形成模塑層；以及

對所述模塑層進行構圖，使得部分所述模塑層保留在所述第一模塑線的鄰近各對之間。