[發(fā)明專利]具有精細(xì)接觸孔的半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710166864.0
• 申請日: 2007-10-23
• 公開（公告）號: CN101174579A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 權(quán)城鉉;沈載煌;郭東華;金周泳
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 黃啟行;穆德駿

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例總體上涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，且更具體地說，涉及如下半導(dǎo)體器件的制造方法，在所述半導(dǎo)體器件中，利用采用模塑圖案所形成的掩模圖案，形成精細(xì)接觸孔。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件包括分立器件，諸如晶體管、電阻器以及電容器。分立器件經(jīng)由在通過絕緣層的接觸孔中形成的接觸插塞或者互連來彼此電連接。例如，NAND型閃存器件可以包括在半導(dǎo)體襯底內(nèi)部的橫跨于彼此間隔開的有源區(qū)之上的字線，以及鄰近于所述字線并且橫跨于有源區(qū)之上的選擇線。NAND型閃存器件還可以包括位線，所述位線通過層間電介質(zhì)層與所述字線和選擇線相隔離并橫跨于其上。位線可以經(jīng)由接觸孔分別電連接到有源區(qū)，所述有源區(qū)鄰近于所述選擇線。通常，可以通過構(gòu)圖工藝來形成接觸孔。構(gòu)圖工藝包括：通過光刻工藝在層間電介質(zhì)層上形成具有孔形開口的掩模圖案；以及蝕刻通過所述開口暴露的層間電介質(zhì)層。

因?yàn)榻佑|孔的尺寸隨著半導(dǎo)體器件的集成度的增加而變得更小，所以應(yīng)當(dāng)縮小開口的尺寸。然而，因?yàn)樾枰s小開口的尺寸，所以難以控制光刻工藝。例如，因?yàn)榘雽?dǎo)體襯底上的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)很復(fù)雜，所以在光刻工藝期間，由于諸如選擇線和字線的圖案可以生成漫反射。因此，在確保每個開口具有相同的尺寸方面，存在限制。

結(jié)果，在填充每個接觸孔的接觸插塞中，不能保證相同的電阻。因此，惡化了半導(dǎo)體器件的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

因此，在此示例性描述的實(shí)施例用于提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件通過利用模塑圖案來形成掩模圖案而具有精細(xì)的并且尺寸基本上相同的接觸孔。

在此示例性描述的一個實(shí)施例的特征可以為一種半導(dǎo)體器件的制造方法。該方法例如可以包括在半導(dǎo)體襯底上形成限定有源區(qū)的隔離層。在具有隔離層的半導(dǎo)體襯底上可以形成層間電介質(zhì)層。在層間電介質(zhì)層上可以形成第一模塑圖案。還可以形成第二模塑圖案，其定位于第一模塑圖案之間并與其間隔開。可以形成包圍第一模塑圖案和第二模塑圖案的側(cè)壁的掩模圖案模塑。通過去除第一模塑圖案和第二模塑圖案，可以形成開口。通過利用掩模圖案作為蝕刻掩模來蝕刻層間電介質(zhì)層，形成接觸孔。

附圖說明

通過參考附圖來詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，上述示例性描述的實(shí)施例的上述和其它特征，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，將變得更加顯而易見，在附圖中：

圖1是根據(jù)一個示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖；

圖2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A、10A、11A、12A、13A和14A是沿圖1中的線I-I’獲得的截面圖，示出了制造根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性方法；

圖2B、3B、4B、5B、6B、7B、8B、9B、10B、11B、12B、13B和14B是沿圖1中的線II-II’獲得的截面圖，示出了制造根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性方法；

圖15A、16A、17A、18A、19A和20A是沿圖1中的線I-I’獲得的截面圖，示出了制造根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性方法；以及

圖15B、16B、17B、18B、19B和20B是沿圖1中的線II-II’獲得的截面圖，示出了制造根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性方法。

具體實(shí)施方式

在下文中，現(xiàn)將參考附圖，更加全面地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，這些實(shí)施例可以以多種不同的形式實(shí)現(xiàn)，而且不應(yīng)認(rèn)為僅限于在此所描述的實(shí)施例。更確切地，提供這些實(shí)施例以使得本公開徹底和完整，并且將全面地向本領(lǐng)域的技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為清晰起見，放大各圖和各區(qū)域的厚度。在整個說明書中，類似的標(biāo)記表示類似的元件。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或者襯底的元件被稱為在另一元件“上”時，其可以是直接在其它元件之上，也可以存在插入的元件。相反地，當(dāng)元件被稱為“直接在另一元件上”時，則不存在插入的元件。

圖1是根據(jù)一個示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A、10A、11A、12A、13A和14A是沿圖1中的線I-I’獲得的截面圖，示出了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖2B、3B、4B、5B、6B、7B、8B、9B、10B、11B、12B、13B和14B是沿圖1中的線II-II’獲得的截面圖，示出了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。