[發明專利]光半導體器件及光半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 200710166818.0
• 申請日: 2007-10-18
• 公開（公告）號: CN101165929A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: 下川一生;浮田康成
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 胡建新

技術領域

本發明涉及具備光半導體元件的光半導體器件及該光半導體器件的制造方法。

背景技術

光半導體器件作為照明或顯示裝置等各種裝置的光源，用于廣泛的領域中。該光半導體器件具備：發光二極管(LED)等光半導體元件；第一引腳部，接合并載置該光半導體元件，電連接在光半導體元件上；及第二引腳部，通過引線與該第一引腳部上的光半導體元件電連接(例如，參照專利文獻1及專利文獻2)。向這些第一引腳部及第二引腳部施加電壓，向光半導體元件供電。

在光半導體元件的第一主面上設有發光層，在該發光層上設有小于第一主面的第一電極。該第一電極通過焊錫等接合構件接合在第一引腳部，光半導體元件設置在第一引腳部的載置面上。并且，在作為第一主面的相反面的第二主面上設有引線連接用的第二電極。并且，光半導體元件由塑封樹脂密封。

在這種光半導體器件中，由于通過沖壓加工等形成第一引腳部，所以第一引腳部的載置面的平面度較低。因此，為了進行焊錫等接合構件良好地填充在光半導體元件和第一引腳部的載置面之間的接合，需要增大由接合構件形成的接合層的厚度，或者添加焊錫等接合構件來供給片形焊錫等副資材。

專利文獻1：(日本)特開2006-156538號公報

專利文獻2：(日本)特開2006-66670號公報

但是，第一引腳部的載置面的平面度在每個光半導體器件上有差異，按照平面度較低的載置面設定了接合構件的供給量，因此，在載置面的平面度較高的情況下，剩余部分的接合構件從光半導體元件和第一引腳部的載置面之間溢出，爬到光半導體元件的側壁。光半導體元件通過發光層分為陽極和陰極，所以當接合構件接觸到光半導體元件的側壁時，會產生短路故障。

發明內容

本發明鑒于上述情況而做出的，其目的在于，提供一種可以防止因接合構件爬到光半導體元件上而產生的短路故障的光半導體器件及其光半導體器件的制造方法。

本發明的實施方式涉及的第一特征在于，具備：光半導體元件，具有設置在第一主面上的發光層、設置在上述發光層上且小于上述第一主面的第一電極、及設置在與上述第一主面不同的第二主面上的第二電極；第一引腳部，具有接合上述第一電極的區域中的小于上述第一主面的接合區域、和形成在與上述接合區域相鄰接的外周區域的第一槽部，上述第一電極通過接合構件接合在上述接合區域，該第一引腳部與上述第一電極電連接；以及第二引腳部，通過連接構件與上述第二電極電連接。

本發明的實施方式涉及的第二特征在于，在與第一引腳部的接合第一電極的區域中小于第一主面的接合區域相鄰接的外周區域，形成第一槽部的工序，所述第一引腳部上設置光半導體元件，上述光半導體元件具有設置在上述第一主面上的發光層、設置在上述發光層上且小于上述第一主面的上述第一電極、及設置在與上述第一主面不同的第二主面上的第二電極；利用接合構件在上述接合區域接合上述第一電極，在上述第一引腳部上設置上述光半導體元件，將上述第一引腳部電連接在上述第一電極上的工序；及利用連接構件，在上述第一引腳部上的上述光半導體元件的上述第二電極上電連接第二引腳部的工序。

根據本發明，可以防止因接合構件爬到光半導體元件上而造成的短路故障的發生。

附圖說明

圖1是表示本發明的第一實施方式的光半導體器件的概略結構的截面圖。

圖2是將圖1所示的光半導體器件具備的光半導體元件和第一引腳部的接合部分放大表示的截面圖。

圖3是表示圖1所示的光半導體器件具備的第一引腳部及第二引腳部的平面圖。

圖4是說明圖1所示的光半導體器件的制造方法的第一工序截面圖。

圖5是第二工序截面圖。

圖6是放大表示本發明的第二實施方式的光半導體器件具備的光半導體元件和第一引腳部的接合部分的截面圖。

圖7是表示本發明的第二實施方式的光半導體器件具備的第一引腳部及第二引腳部的平面圖。

圖8是表示本發明的第三實施方式的光半導體器件的概略結構的截面圖。

圖9是表示圖8所示的光半導體器件具備的第一引腳部及第二引腳部的平面圖。

具體實施方式

(第一實施方式)

參照圖1至圖5對本發明的第一實施方式進行說明。