[發明專利]光半導體器件及光半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 200710166818.0 | 申請日： | 2007-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN101165929A | 公開（公告）日： | 2008-04-23 |
| 發明（設計）人： | 下川一生;浮田康成 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種光半導體器件，其特征在于，具備：
光半導體元件，具有設置在第一主面上的發光層、設置在上述發光層上且小于上述第一主面的第一電極、及設置在與上述第一主面不同的第二主面上的第二電極；
第一引腳部，具有接合上述第一電極的區域中小于上述第一主面的接合區域、和形成在與上述接合區域相鄰接的外周區域的第一槽部，上述第一電極利用接合構件接合在上述接合區域，該第一引腳部與上述第一電極電連接；以及
第二引腳部，通過連接構件與上述第二電極電連接。
2.如權利要求1所述的光半導體器件，其特征在于，
上述接合區域大于上述第一電極的接合面。
3.如權利要求1所述的光半導體器件，其特征在于，
上述第一引腳部具有在上述接合區域內與上述第一槽部隔開形成的第二槽部。
4.一種光半導體器件的制造方法，其特征在于，
在與第一引腳部的接合第一電極的區域中小于第一主面的接合區域相鄰接的外周區域，形成第一槽部的工序，所述第一引腳部上設置光半導體元件，上述光半導體元件具有設置在上述第一主面上的發光層、設置在上述發光層上且小于上述第一主面的上述第一電極、及設置在與上述第一主面不同的第二主面上的第二電極；
利用接合構件在上述接合區域接合上述第一電極，在上述第一引腳部上設置上述光半導體元件，將上述第一引腳部電連接在上述第一電極上的工序；及
利用連接構件，在上述第一引腳部上的上述光半導體元件的上述第二電極上電連接第二引腳部的工序。
5.如權利要求4所述的光半導體器件的制造方法，其特征在于，
在形成上述第一槽部的工序中，將上述接合區域設置為比上述第一電極的接合面大。
6.如權利要求4所述的光半導體器件的制造方法，其特征在于，
具有在上述接合區域內與上述第一槽部隔開形成第二槽部的工序。
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