[發明專利]一種集成電路裝置及存儲矩陣

有效

• 申請號: 200710166453.1
• 申請日: 2007-11-13
• 公開（公告）號: CN101345250A
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發明（設計）人: 李自強;梁春升;黃俊仁;楊富量
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L23/522
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳紅

1.一種集成電路裝置，其特征在于，包含：

一個晶體管，具有一第一接點、第二接點和第三接點；

一接觸栓塞，連接該第一接點；

一金屬線，連接且覆蓋在該接觸栓塞之上；

一第一電阻式存儲單元，具有一第一底電極、一第一電阻組件以及一第一頂電極，該第一電阻組件位于該第一底電極與該第一頂電極之間，其中該第一底電極連接并覆蓋在該金屬線之上，且該第一底電極的截面積小于該第一電阻組件的截面積，且該第一頂電極的電阻率大于或等于該第一底電極的電阻率；以及

一第二電阻式存儲單元，具有一第二底電極、一第二電阻組件以及一第二頂電極，該第二電阻組件位于該第二底電極與該第二頂電極之間，其中該第二底電極連接并覆蓋在該金屬線之上，且該第二底電極的截面積小于該第二電阻組件的截面積，且該第二頂電極的電阻率大于或等于該第二底電極的電阻率。

2.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，該第一和該第二底電極的電阻率高于該金屬線。

3.根據權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，該晶體管選自一組至少具有多個雙極結型晶體管、多個金屬氧化物半導體裝置和多個鰭式場效應晶體管的群組。