[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710166064.9
• 申請日: 2007-11-01
• 公開（公告）號: CN101425506A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邢陳震;洪榮豪
• 申請（專利權(quán)）人: 葳天科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京申翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周春發(fā)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)一種發(fā)光二極管及其制造方法，旨在提供一種可具有較高亮度表現(xiàn)，且制程簡化僅需二條導(dǎo)線即可完成各發(fā)光芯片連接的發(fā)光二極管及其制造方法。

背景技術(shù)

按，由于發(fā)光二極管與傳統(tǒng)燈泡比較具有絕對的優(yōu)勢，例如體積小、壽命長、低電壓/電流驅(qū)動(dòng)、不易破裂、發(fā)光時(shí)無顯著的問題、不含水銀(沒有污染問題)、發(fā)光效率佳(省電)等特性，且近幾年來發(fā)光二極管的發(fā)光效率不斷提升，因此發(fā)光二極管在某些領(lǐng)域已漸漸取代日光燈與白熱燈泡，例如需要高速反應(yīng)的掃描儀燈源、液晶顯示器的背光源或前光源汽車的儀表板照明、交通號志燈以及一般的照明裝置等。

而且，由于含氮的III-V族化合物為一寬頻帶能隙的材料，其發(fā)光波長可以從紫外光一直涵蓋至紅光，可說是幾乎涵蓋整個(gè)可見光的波段。因此，利用含氮化鎵的化合物半導(dǎo)體，如氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(GaAlN)、氮化銦鎵(GaInN)等的發(fā)光芯片以廣泛地應(yīng)用在各種發(fā)光二極管中。

而一般習(xí)用的發(fā)光二極管于一基板上置放單一芯片，使芯片的正、負(fù)極朝上設(shè)置，再于該芯片的正、負(fù)極上以打線的方式，將該芯片與一個(gè)以上的接腳連接，的后再加以封裝藉以形成一發(fā)光二極管；而由于該發(fā)光二極管僅以單一芯片構(gòu)成一發(fā)光二極管，所以其光源并不強(qiáng)烈，故，前述習(xí)用的發(fā)光二極管并無法運(yùn)用于高亮度的所需。

因此便有相關(guān)業(yè)者將一基板11上置放一個(gè)以上的芯片12，如圖1所示，使該一個(gè)以上的芯片12的正、負(fù)極121、122朝上設(shè)置，再于該一個(gè)以上的芯片12的正、負(fù)極121、122上以打上導(dǎo)線13的方式加以串聯(lián)后再與接腳連接，之后再加以封裝藉以形成一發(fā)光二極管1；使該單一發(fā)光二極管1可發(fā)出較強(qiáng)的光源；然而，各電極連接時(shí)需要復(fù)數(shù)導(dǎo)線的連接，如圖所示串連三個(gè)芯片12則需要4條導(dǎo)線13構(gòu)成電性連接，不僅制程較為繁復(fù)，且導(dǎo)線13容易因?yàn)槔抖撾x的機(jī)會(huì)亦增加，進(jìn)而使不良率增加。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明即在提供一種可具有較高亮度表現(xiàn)，且制程簡化僅需二條導(dǎo)線即可完成各發(fā)光芯片連接的發(fā)光二極管及其制造方法。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明中發(fā)光二極管包含有復(fù)數(shù)連續(xù)排列的發(fā)光芯片，各發(fā)光芯片表面設(shè)有分離的正、負(fù)極，而相鄰發(fā)光芯片的正、負(fù)極間藉由導(dǎo)電信道連接，而非利用導(dǎo)線連接，使各發(fā)光芯片得以串聯(lián)，使整體發(fā)光二極管具有較高亮度表現(xiàn)，且可改善習(xí)有各發(fā)光芯片需藉由導(dǎo)線串聯(lián)，使得制程較為繁復(fù)的缺點(diǎn)。

附圖說明

圖1為習(xí)知發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖2為本發(fā)明中二個(gè)發(fā)光芯片串聯(lián)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明中三個(gè)發(fā)光芯片串聯(lián)的結(jié)構(gòu)立體圖；

圖4為本發(fā)明中三個(gè)發(fā)光芯片串聯(lián)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明中發(fā)光二極管的剖面示意圖；

圖6為本發(fā)明中發(fā)光二極管的部分放大示意圖；

圖7為本發(fā)明中形成導(dǎo)電信道第一實(shí)施例的流程示意圖；

圖8為本發(fā)明中形成導(dǎo)電信道第二實(shí)施例的流程示意圖；

圖9為本發(fā)明中形成導(dǎo)電信道第三實(shí)施例的流程示意圖。

【圖號說明】

發(fā)光二極管?1???????????????????????基板?11

芯片?12????????????????????????????正極?121

負(fù)極?122???????????????????????????????????導(dǎo)線?13

發(fā)光二極管?2???????????????????????????????第一發(fā)光芯片?21

第二發(fā)光芯片?22????????????????????????????正極?23

負(fù)極?24????????????????????????????????????導(dǎo)電信道?25

第三發(fā)光芯片?26????????????????????????????殼體?31

支架?32、33????????????????????????????????封裝膠體?34

導(dǎo)線?35????????????????????????????????????金屬膜?41

光阻層?42??????????????????????????????????光罩?43

圖案?431

具體實(shí)施方式

為能使貴審查員清楚本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容，以及實(shí)施方式，茲配合圖式說明如下：