[發明專利]陣列基板及其制造方法以及修復該陣列基板中的線的方法有效
| 申請號: | 200710165594.1 | 申請日: | 2007-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN101202287A | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發明(設計)人: | 金殷泓;林鳳默;金定煥 | 申請(專利權)人: | LG.菲利浦LCD株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐金國;梁揮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制造 方法 以及 修復 中的 | ||
本申請要求享有2006年12月12日在韓國遞交的韓國專利申請號10-2006-0126167的優先權,在此引用其全部內容作為參考。
技術領域
本發明涉及一種液晶顯示器件,更具體地,涉及一種陣列基板及其制造方法以及一種修復該陣列基板中的線的方法。
背景技術
液晶顯示(LCD)器件基于液晶材料的光學各向異性和極化等特性而驅動。液晶分子具有長且細的形狀,并且液晶分子沿定向方向規律地排列。光沿著長且細形的液晶分子穿過LCD器件。液晶分子的定向取決于施加到液晶分子上的電場的強度或方向。通過控制電場的強度或方向,控制液晶分子的定向,從而顯示圖像。
現將參照圖1和圖2描述現有技術的LCD器件。
圖1為根據現有技術的LCD器件的示意性橫截面圖,圖2為根據現有技術的用于LCD器件的陣列基板的平面圖。
如圖1和圖2所示,根據現有技術的LCD器件包括下基板22和上基板50,液晶層14插入在下基板22和上基板50之間。在下基板22上形成有薄膜晶體管T、像素電極46、柵線13和數據線42。在上基板50上形成有黑矩陣52、紅、綠和藍濾色片54a、54b和54c、以及公共電極56。包括薄膜晶體管T、像素電極46、柵線13和數據線42的下基板22可以稱作陣列基板。包括黑矩陣52、紅、綠和藍濾色片54a、54b和54c、以及公共電極56的上基板50可以稱作濾色片基板。
柵線13和數據線42彼此交叉以限定像素區P。薄膜晶體管T設置在靠近柵線13和數據線42的各個交叉點處,并設置在矩陣中。
每個像素電極46設置在每個像素區P處,并且由例如氧化銦錫(ITO)的透明導電材料形成。像素電極46分別與薄膜晶體管T連接。像素電極46也設置在矩陣中。
每個薄膜晶體管T包括柵極30、有源層34、以及源極36和漏極38。柵極30與柵線13連接并提供有來自柵線13的脈沖信號。源極36與數據線42連接并提供有來自數據線42的數據信號。數據信號通過漏極38提供給像素電極46,所述漏極38與源極36間隔分開并與像素電極46連接。有源層34被設置在柵極30與源、漏極36和38之間。
可以通過光刻工序形成陣列基板的元件。在這些工序中,由于產生在基板表面上的顆粒,柵線和數據線可能斷路。特別是,因為在形成其它元件之后形成數據線,所以斷路更有可能形成在數據線中而不是在柵線中。
發明內容
因此,本發明致力于提供一種陣列基板、制造該陣列基板的方法以及修復該陣列基板中的線的方法,其基本上克服因現有技術的局限和缺點而帶來的一個或多個問題。
本發明的一個優點在于提供一種陣列基板、一種制造該陣列基板的方法、以及一種修復該陣列基板中的線的方法,其解決線的斷開問題。
本發明的另一個優點在于提供一種陣列基板、一種制造該陣列基板的方法、以及一種修復該陣列基板中的線的方法,其通過向所有像素提供公共信號而產生均勻且高質量的圖像。
本發明的附加優點和特征將在后面的說明書中得以闡明,部分從說明書中會顯而易見地得到,或者可通過本發明的實踐得知。本發明的目的和其他優點可通過書面說明書及其權利要求以及附圖中具體指出的結構來實現和得到。
為了實現這些和其它優點,并根據本發明具體實施方式的目的,如所概括和廣泛描述的,所述陣列基板包括:基板、基板上的柵線、與柵線交叉以限定像素區的數據線、與柵線和數據線連接的薄膜晶體管、在像素區中的像素電極、以及包括第一、第二、第三、第四和第五部分的公共電極,其中,第一部分和第二部分設置在數據線的兩側,第三部分和第四部分中各與第一部分和第二部分連接,并且第五部分與第二部分連接并延伸進入與像素區相鄰的下一個像素區中。應該理解,上面的概括性描述和下面的詳細描述都是示意性和解釋性的,意欲對本發明的權利要求提供進一步的解釋。
根據另一方面,提供了一種制造陣列基板的方法,包括:在基板上形成柵線;形成與柵線交叉以限定像素區的數據線;形成與柵線和數據線連接的薄膜晶體管;在像素區中形成像素電極;以及形成包括第一、第二、第三、第四和第五部分的公共電極,其中所述第一部分和第二部分分別設置在數據線的兩側,第三部分和第四部分各與第一部分和第二部分連接,第五部分與第二部分連接并延伸進入與所述像素區相鄰的下一個像素區中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





