[發明專利]陣列基板及其制造方法以及修復該陣列基板中的線的方法

有效

• 申請號: 200710165594.1
• 申請日: 2007-11-22
• 公開（公告）號: CN101202287A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 金殷泓;林鳳默;金定煥
• 申請（專利權）人: LG.菲利浦LCD株式會社
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種陣列基板，包括：

基板；

基板上的柵線；

與柵線交叉以限定像素區的數據線；

與柵線和數據線連接的薄膜晶體管；

在像素區中的像素電極；以及

包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共電極，其中，所述第一部分和第二部分分別設置在數據線的相對側，第三部分和第四部分各與第一部分和第二部分連接，并且第五部分與第二部分連接并延伸進入與所述像素區相鄰的下一個像素區中。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第五部分與下一個像素區中的第二部分直接連接。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括與柵線連接的柵極、在柵極之上的有源層、在有源層之上的歐姆接觸層、與數據線連接的源極、以及在歐姆接觸層之上與源極間隔分開的漏極。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，進一步包括數據線之下的半導體層，其中所述半導體層包括從有源層延伸出的層和歐姆接觸層之一。

5.一種制造陣列基板的方法，包括：

在基板上形成柵線；

形成與柵線交叉的數據線以限定像素區；

形成與柵線和數據線連接的薄膜晶體管；

在像素區中形成像素電極；以及

形成包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分的公共電極，其中所述第一部分和第二部分分別設置在數據線的相對側，第三部分和第四部分各與第一部分和第二部分連接，第五部分與第二部分連接并延伸進入與所述像素區相鄰的下一個像素區中。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第五部分與下一個像素區中的第二部分直接連接。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，形成數據線包括在數據線之下形成半導體層。

8.一種制造陣列基板的方法，包括：

在基板上形成柵線、柵極和公共線，其中所述公共線包括第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分；

在柵線、柵極和公共線上形成柵絕緣層；

在柵極之上的柵絕緣層上形成有源層和歐姆接觸層；

形成數據線、源極和漏極，其中所述數據線與柵線交叉以限定像素區，并且源極和漏極在歐姆接觸層之上間隔分開；

在數據線、源極和漏極上形成鈍化層，其中所述鈍化層包括暴露漏極的接觸孔；以及

在像素區中形成與漏極連接的像素電極，

其中，所述第一部分和第二部分分別設置在數據線的相對側，第三部分和第四部分各與第一部分和第二部分連接，第五部分與第二部分連接并延伸進入與所述像素區相鄰的下一個像素區中。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第五部分與下一個像素區中的第二部分直接連接。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在使用不同掩模的各自掩模工序中執行形成有源層和歐姆接觸層以及形成數據線、源極和漏極的步驟。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在使用一個掩模的相同掩模工序中執行形成有源層和歐姆接觸層以及形成數據線、源極和漏極的步驟。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述掩模工序包括：

形成本征非晶硅層、摻雜非晶硅層和導電層；

在導電層上形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，其中所述第一光刻膠圖案包括第一部分以及比第一部分厚的第二部分；

使用作為蝕刻掩模的第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案，通過選擇性去除導電層、摻雜非晶硅層以及本征非晶硅層，形成源-漏金屬層、數據線、第一半導體層和第二半導體層，其中所述源-漏金屬層和第一半導體層設置在第一光刻膠圖案之下，數據線和第二半導體層設置在第二光刻膠圖案之下，第一半導體層和第二半導體層各包括本征非晶硅圖案和摻雜非晶硅圖案；

去除第一光刻膠圖案的第一部分，從而暴露源-漏金屬層；

使用作為蝕刻掩模的第一光刻膠圖案的第二部分，去除暴露的源-漏金屬層和摻雜非晶硅圖案，從而形成源極和漏極以及歐姆接觸層，其中第一半導體層的本征非晶硅圖案用作有源層；以及

去除第一光刻膠圖案的第二部分和第二光刻膠圖案。