[發(fā)明專利]內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710164048.6
• 申請(qǐng)日: 2007-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN101141849A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王永輝;歐英德;洪志斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/16
• 分類號(hào): H05K1/16;H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)，其特征在于包括：

一介電層，具有一厚度；

一第一導(dǎo)電層，位于該介電層的一側(cè)，其中該第一導(dǎo)電層具有一第一電性；

一第二導(dǎo)電層，位于該介電層上相對(duì)于該第一導(dǎo)電層的另一側(cè)，其中該第二導(dǎo)電層具有一第二電性；

一第一嵌板，嵌設(shè)于該介電層之中，與該第一導(dǎo)電層電性連結(jié)；以及

一第二嵌板，嵌設(shè)于該介電層之中，與該第二導(dǎo)電層電性連結(jié)，且與該第一嵌板相距有一距離。

2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一嵌板和該第二嵌板嵌設(shè)于該介電層的長(zhǎng)度，大于該厚度的一半。

3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一導(dǎo)電層與該第一嵌板夾具有一第一夾角角度，其夾角大于0°小于180°。

4.如權(quán)利要求3所述的內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一夾角的角度為90°。

5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第二導(dǎo)電層與該第二嵌板夾有角度大于0°小于180°的一第二夾角。

6.如權(quán)利要求5所述的內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第二夾角的角度為90°。

7.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一嵌板與該第二嵌板相互平行。

8.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括：

一第三嵌板，嵌設(shè)于該介電層之中，與該第一導(dǎo)電層電性連結(jié)，其中該第二嵌板位于該第一嵌板與該第三嵌板之間，且三者彼此都相距有一距離；以及

一第四嵌板，嵌設(shè)于該介電層之中，與該第二導(dǎo)電層電性連結(jié)，其中該第三嵌板位于該第二嵌板與該第四嵌板之間，且三者彼此都相距有一距離。

9.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的第一嵌板、該第二嵌板、該第三嵌板以及該第四嵌板彼此相互平行。

10.一種內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括：

提供一介電層；

圖案化該介電層的一第一表面，以形成一第一凹溝凹設(shè)于該介電層中；

于該第一表面形成一第一導(dǎo)電層，并填充該第一凹溝；

圖案化該介電層的一第二表面，以形成一第二凹溝凹設(shè)于該介電層中，其中該第二表面相對(duì)于該第一表面，且該第一凹溝與該第二凹溝相距有一距離；以及

于該第二表面形成一第二導(dǎo)電層，并填充該第二凹溝。

11.一種內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述的包括：

提供一核心層，其中該核心層包括：

一基材；

一第一導(dǎo)電層位于該基材的一側(cè)；以及

一第二導(dǎo)電層位于該基材相對(duì)于該第一導(dǎo)電層的另一側(cè)；

于該第一導(dǎo)電層上形成一第一凹溝，并使該第一凹溝凹設(shè)于該基材之中；

于該第二導(dǎo)電層上形成一第二凹溝，并使該第二凹溝凹設(shè)于該基材之中，且該第一凹溝與該第二凹溝相距有一距離；以及；

以一導(dǎo)電材料填充該第一凹溝和該第二凹溝。

12.一種內(nèi)埋電容元件結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述的包括：

提供一覆銅膜樹脂層，其中該覆銅膜樹脂層包括一基材以及一銅膜位于該基材的一側(cè)；

于該銅膜上形成一第一凹溝，并使該第一凹溝凹設(shè)于該基材之中；

以一導(dǎo)電材料填充該第一凹溝；

于該基材相對(duì)于該銅膜的一側(cè)形成一第二凹溝凹設(shè)于該基材之中，且該第一凹溝與該第二凹溝相距有一距離；以及；

于該基材相對(duì)于該銅膜的一側(cè)形成一第二導(dǎo)電層，并填充該第二凹溝。