[發明專利]磷化銦單晶的制造方法

有效

• 申請號: 200710163422.0
• 申請日: 2004-05-06
• 公開（公告）號: CN101230488A
• 公開（公告）日: 2008-07-30
• 發明（設計）人: 川瀬智博
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧紅霞;張天舒

1.一種制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，包括：

將橫截面積為結晶體橫截面積的15％或大于15％的晶種置于生長容器下端，以使所述晶體生長方向沿<100>取向；

將含有所述晶種、磷化銦原料、摻雜劑和氧化硼的所述生長容器置于晶體生長室中，并將溫度升高到等于或高于磷化銦的熔點；

在加熱并熔化氧化硼、磷化銦原料、摻雜劑和所述晶種的一部分后，降低所述生長容器的溫度，以便沿所述生長容器縱向生長具有<100>取向的單晶。

2.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

所述晶種的橫截面積為所述結晶體橫截面積的50％或大于50％。

3.如權利要求1或2所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

所述晶種的橫截面積為所述結晶體橫截面積的98％或小于98％。

4.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

在包括晶體中心軸線的縱剖面中，從所述晶種到所述結晶體的錐形區相對于所述晶體中心軸線的傾角等于或小于40度。

5.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

在包括晶體中心軸線的縱剖面中，從所述晶種到所述結晶體的錐形區相對于所述晶體中心軸線的傾角等于或小于20度。

6.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

所述晶種的平均位錯密度小于5000cm^-2。

7.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

所述晶種的平均位錯密度小于2000cm^-2。

8.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

所述晶種的平均位錯密度小于所要生長的所述晶體的目標平均位錯密度。

9.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

在將所述磷化銦原料、摻雜劑和所述晶種的一部分保持在加熱熔化狀態一定時間后，降低所述生長容器的溫度，以便沿所述生長容器縱向生長具有<100>取向的單晶。

10.如權利要求9所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

在將所述磷化銦原料、摻雜劑和所述晶種的一部分保持在加熱熔化狀態1小時或多于1小時后，降低所述生長容器的溫度，以便沿所述生長容器縱向生長具有<100>取向的單晶。

11.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

從所述晶種生長所述晶體時的生長速率等于或小于10mm/小時。

12.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

從所述晶種生長所述晶體時的生長速率等于或小于5mm/小時。

13.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

從所述晶種生長所述晶體時的生長速率等于或大于2.5mm/小時。

14.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

所述生長容器是pBN容器。

15.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

在將所述晶種、磷化銦原料、摻雜劑和氧化硼置于所述生長容器中之前，用氧化硼薄膜至少包覆所述生長容器內表面的與熔體接觸的部分。

16.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

所述結晶體的直徑等于或大于75mm。

17.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

所述結晶體的直徑等于或大于100mm。

18.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：

所述摻雜劑是Fe。

19.如權利要求1所述的制造含摻雜劑的磷化銦單晶的方法，其中：????

所述摻雜劑是S。