[發明專利]高耐壓半導體器件及高耐壓半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 200710163362.2
• 申請日: 2007-10-19
• 公開（公告）號: CN101179075A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發明（設計）人: 小池理
• 申請（專利權）人: 沖電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/522;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/822;H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 雒運樸;李偉

1.一種高耐壓半導體器件，其特征在于：晶體管的柵電極和二極管通過形成在各自之上的接觸，并利用直接與上述接觸連接的布線進行電連接，其中，上述晶體管形成于半導體襯底上，具有膜厚在350以上的柵絕緣膜，上述二極管由形成于半導體襯底的表層區域的第1導電型的阱區和形成于上述半導體襯底的表層區域、且是形成于上述阱區上的第2導電型的擴散層構成。

2.一種高耐壓半導體器件，其特征在于，具有：

半導體襯底；

晶體管，其具有形成于上述半導體襯底的表層區域的第1導電型的溝道區域、形成于上述溝道區域的兩側的第2導電型的源區及漏區、形成于上述溝道區域上的膜厚為350以上的柵絕緣膜、和形成于上述柵絕緣膜上的柵電極；

二極管，其由形成于上述半導體襯底的表層區域的第1導電型的阱區和形成于上述半導體襯底的表層區域、且是形成于上述阱區上的第2導電型的擴散層構成；

接觸，分別形成于上述柵電極上和上述第2導電型的擴散層上；以及

布線，形成于各上述接觸上的同一布線層，使各上述接觸彼此間進行電連接。

3.根據權利要求1或2所述的高耐壓半導體器件，其特征在于，

具有350以上的柵氧化膜的各上述晶體管間的以下面積比之差為-5.0％～5.0％，該面積比是柵電極與柵絕緣膜相接的部分的面積和形成于上述柵電極上的接觸孔的總開口面積的面積比。

4.一種高耐壓半導體器件的制造方法，其特征在于，具有：

準備半導體襯底的工序，該半導體襯底具有第1導電型的晶體管形成區域和第1導電型的二極管形成區域；

形成晶體管的工序，該晶體管是通過在上述晶體管形成區域的上述半導體襯底的表層區域形成第1導電型的溝道區域，在上述溝道區域上形成膜厚為350以上的柵絕緣膜，在上述柵絕緣膜上形成柵電極，在上述溝道區域的兩側形成第2導電型的源區和漏區而形成的；

形成二極管的工序，該二極管是通過在上述二極管形成區域的上述半導體襯底的表層區域形成第2導電型的擴散層而形成的；

形成接觸的工序，該接觸分別形成在上述柵電極和上述第2導電型的擴散層上；以及

形成布線的工序，該布線形成于各上述接觸上的同一布線層，使各上述接觸進行電連接。