[發(fā)明專利]清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)及氣體清除方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710161973.3 | 申請(qǐng)日: | 2007-09-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101398127A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-04-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何照銘;魏涌洲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 力晶半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | F17D1/04 | 分類號(hào): | F17D1/04;B08B9/032 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清除 氣體 供應(yīng) 系統(tǒng) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種流體供應(yīng)系統(tǒng)及清除方法,且特別地,涉及一種清除氣體(purge?gas)供應(yīng)系統(tǒng)及氣體清除方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體工藝中,幾乎每一種工藝設(shè)備都需要各種不同的氣體來(lái)參與工藝的進(jìn)行。所以,半導(dǎo)體的工藝設(shè)備都需要個(gè)別的氣體輸送處理系統(tǒng)來(lái)傳輸所需要的工藝氣體(processing?gas)。而氣體輸送系統(tǒng)的規(guī)劃,也隨著各種不同氣體間的特性,而有簡(jiǎn)單到非常復(fù)雜的設(shè)計(jì)。
一般而言,氣體輸送系統(tǒng)是用來(lái)將設(shè)備所需的工藝氣體透過(guò)管線及各種配件,而供應(yīng)到設(shè)備中。而半導(dǎo)體工藝所需要的各種工藝氣體,通常是由存放在氣體儲(chǔ)柜里的氣體鋼瓶(gas?cylinder)所供應(yīng)。在更換氣體儲(chǔ)柜中的氣體鋼瓶時(shí),若連接氣體鋼瓶的管線內(nèi)還殘留有工藝氣體,容易造成殘留的工藝氣體流入工作環(huán)境內(nèi)。因此,在更換氣體鋼瓶之前,通常會(huì)使用清除氮?dú)?purge?nitrogen)來(lái)清潔工藝氣體的輸送管線,以將管線內(nèi)的工藝氣體排除。
然而,在一般常溫(約介于20℃至24℃之間)狀態(tài)下的清除氮?dú)猓瑢?duì)于如溴化氫(HBr)或氯氣(Cl2)等黏滯性較高的工藝氣體的清除效果極有限。而在沒(méi)有完全清理干凈的管線中,殘存的工藝氣體或液滴容易與水氣發(fā)生反應(yīng),生成氯化氫(HCl)等有害反應(yīng)物,而導(dǎo)致閥件腐蝕損壞且危害操作人員的安全。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種清除氣體供應(yīng)系統(tǒng),能夠提供加熱的氮?dú)猓杂行宄芫€內(nèi)殘留的工藝氣體或液滴。
本發(fā)明還提供一種氣體清除方法,可有助于徹底清除管線內(nèi)的殘存物,以降低清除氣體的使用量。
本發(fā)明提出一種清除氣體供應(yīng)系統(tǒng),適于連接至工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)。此清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括氣體供應(yīng)源、緩沖槽、第一氣體輸送管線以及控制器。氣體供應(yīng)源用于提供清除氣體。緩沖槽連接氣體供應(yīng)源,用以改變通過(guò)緩沖槽的清除氣體的溫度。第一氣體輸送管線連接氣體供應(yīng)源與緩沖槽。控制器連接緩沖槽,用以調(diào)控緩沖槽的溫度。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述緩沖槽包括加熱裝置,以加熱通過(guò)緩沖槽的清除氣體。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述控制器例如連接加熱裝置。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述清除氣體加熱后的溫度介于35℃至40℃之間。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,還包括第二氣體輸送管線,連接緩沖槽與工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng),用以將清除氣體輸送至工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述清除氣體例如是氮?dú)狻?/p>
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)所提供的氣體例如是高黏滯性氣體。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述高黏滯性氣體例如是溴化氫。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述高黏滯性氣體例如是氯氣。
本發(fā)明還提出一種氣體清除方法,適于清潔管線內(nèi)的高黏滯性工藝氣體。首先,加熱清除氣體。接著,將經(jīng)加熱的清除氣體輸送至管線中。之后,排出清除氣體。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述加熱清除氣體,使清除氣體的溫度介于35℃至40℃之間。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述清除氣體例如是惰性氣體(inert?gas)。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述清除氣體例如是氮?dú)狻?/p>
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述高黏滯性工藝氣體例如是溴化氫。
在本發(fā)明一實(shí)施例中,上述高黏滯性工藝氣體例如是氯氣。
本發(fā)明清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)因配置可加熱的緩沖槽及調(diào)控緩沖槽溫度的控制器,因此,管線內(nèi)水氣和殘存的工藝氣體或液滴可以容易地被清除,進(jìn)而增加閥件的使用壽命并提高操作人員的安全性。
此外,本發(fā)明的氣體清除方法可以有效地清除管線內(nèi)高黏滯性氣體的殘存物,因此能夠減少清除管線的次數(shù),降低清除氣體的使用量,避免工藝成本的增加。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉較佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說(shuō)明如下。
附圖說(shuō)明
圖1是依照本發(fā)明一實(shí)施例的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)的配置示意圖。
圖2為依照本發(fā)明一實(shí)施例的氣體清除方法的步驟流程圖。
【主要附圖標(biāo)記說(shuō)明】
100:清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)
110、210:氣體供應(yīng)源
120:緩沖槽
130:控制器
140、142、240a、240b、240c、240d、240e:氣體輸送管線
144、146、242a、242b、242c、242d:閥件
200:工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)
220:使用端
230:抽氣裝置
244:管線
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