[發(fā)明專利]清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)及氣體清除方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710161973.3 | 申請(qǐng)日： | 2007-09-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101398127A | 公開(kāi)（公告）日： | 2009-04-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何照銘;魏涌洲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 力晶半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | F17D1/04 | 分類號(hào)： | F17D1/04;B08B9/032 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 清除 氣體 供應(yīng) 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，適于連接至工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)，包括：
氣體供應(yīng)源，用以提供清除氣體；
緩沖槽，連接該氣體供應(yīng)源，用以改變通過(guò)該緩沖槽的該清除氣體的溫度；
第一氣體輸送管線，連接該氣體供應(yīng)源與該緩沖槽；以及
控制器，連接該緩沖槽，用以調(diào)控該緩沖槽的溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該緩沖槽包括加熱裝置，以加熱通過(guò)該緩沖槽的該清除氣體。
3.如權(quán)利要求2所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該控制器連接該加熱裝置。
4.如權(quán)利要求2所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該清除氣體加熱后的溫度介于35℃至40℃之間。
5.如權(quán)利要求1所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，還包括第二氣體輸送管線，連接該緩沖槽與該工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)，用以將該清除氣體輸送至該工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)。
6.如權(quán)利要求1所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該清除氣體包括氮?dú)狻?/p>
7.如權(quán)利要求1所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該工藝氣體供應(yīng)系統(tǒng)所提供的氣體包括高黏滯性氣體。
8.如權(quán)利要求7所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該高黏滯性氣體包括溴化氫。
9.如權(quán)利要求7所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該高黏滯性氣體包括氯氣。
10.一種氣體清除方法，適于清潔管線內(nèi)的高黏滯性工藝氣體，包括：
加熱清除氣體；
將經(jīng)加熱的該清除氣體輸送至該管線中；以及
排出該清除氣體。
11.如權(quán)利要求10所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中加熱該清除氣體，使該清除氣體的溫度介于35℃至40℃之間。
12.如權(quán)利要求10所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該清除氣體包括惰性氣體。
13.如權(quán)利要求12所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該清除氣體包括氮?dú)狻?/p>
14.如權(quán)利要求10所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該高黏滯性工藝氣體包括溴化氫。
15.如權(quán)利要求10所述的清除氣體供應(yīng)系統(tǒng)，其中該高黏滯性工藝氣體包括氯氣。
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